本发明涉及QLED器件技术领域，具体而言，涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件，包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。本发明的QLED器件在发光层和电子传输层...

本发明公开了非Cd系量子点的制备方法及制备得到的非Cd系量子点，涉及量子点技术领域。非Cd系量子点的制备方法，包括将非镉系量子点核心、混合溶剂和刻蚀试剂混合进行刻蚀反应，测试吸收峰产生蓝移5

本申请实施例提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用，涉及量子点处理技术领域。本申请提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：先将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，再将混合液进行第一阶段的混合加热，得到第一溶液...

一种InP量子点及其制备方法，属于光电材料领域。InP量子点的制备方法包括：将InP晶种和Zn摩尔浓度较低的Zn

本发明提供了量子点发光器件及其制备方法。制备量子点发光器件的方法包括：提供基板；在所述基板的一侧表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；在所述量子点层远离所述阳极...

一种量子点驱蚊灯，属于生活用品领域。量子点驱蚊灯包括底座、安装于底座的量子点发光二极管、安装于底座并覆盖发光二极管的灯罩、以及固定于底座的电源接口。电源接口通过电阻器与发光二极管电连接，且电阻器被构造为调节向发光二极管输出的电流的大小。...

本发明公开了量子点、其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点包括核壳结构和与其相连的第一配体，所述第一配体为苯丙烯酸。由此，本发明采用载流子迁移率高、电化学稳定性强的苯丙烯酸配体取代传统量子点表面的配体，苯丙烯酸具有优异的载...

本发明提出了制备电子传输层材料的方法、QLED器件及显示装置，制备电子传输层材料的方法包括：提供醇溶剂，向所述醇溶剂中加入金属氧化物纳米颗粒，进行第一混合处理以获得第一溶液，向第一溶液中加入硅烷偶联剂，进行第二混合处理以获得第二溶液。由...

本发明公开了一种电致发光器件及其制备方法，所述电致发光器件包括：阳极；空穴注入层，所述空穴注入层设在所述阳极上；空穴传输层，所述空穴传输层设在所述空穴注入层上；发光层，所述发光层设在所述空穴传输层上；电子传输层，所述电子传输层设在所述发...

本发明提出了一种白光LD及其制备方法以及照明设备，该方法包括：(1)提供Y3‑

本发明提出了一种量子点发光二极管及其制备方法以及显示装置，该方法包括：(1)提供基底，在所述基底的表面制备第一电极；(2)在所述第一电极远离所述基底的表面制备发光功能层；(3)在所述发光功能层远离所述第一电极的表面制备第二电极；(4)将...

本发明提供了量子点发光器件及其制备方法、显示装置。该量子点发光器件包括：阳极；量子点层，量子点层设置在所述阳极的一侧；电子传输层，所述电子传输层设置在所述量子点层远离所述阳极的一侧，所述电子传输层包括层叠设置的第一子电子传输层和第二子电...

本发明提出了电子传输层材料及其制备方法、QLED器件及其制备方法和显示装置。电子传输层材料，包括：掺杂有掺杂元素的金属氧化物，其中，掺杂元素包括Li和F。通过在金属氧化物中进行锂元素和氟元素的掺杂，有效降低了电子传输层的电子迁移速率，使...

本申请实施例提供一种量子点发光层的处理方法、电致发光器件及其制备方法，涉及电子发光器件领域。本申请实施例提供一种量子点发光层的处理方法，包括以下步骤：在量子点发光层上以8000

本申请实施例提供一种量子点发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管领域。本实施例中的量子点发光二极管包括叠加设置的空穴传输层和发光层，空穴传输层包含热致延迟荧光材料，发光层包含壳壳结构的发光量子点，发光量子点的核为InP。在空穴传输层中掺...

本申请涉及量子点的制备技术领域，具体而言，涉及一种单核

本申请涉及量子点技术领域，具体而言，涉及一种量子点的配体交换方法及提高量子点产率的方法。量子点的配体交换方法包括向含有量子点的非配位溶剂中加入交换剂进行配体交换反应；其中，量子点的配体为磷酸正十八酯；交换剂包括有机胺以及不饱和脂肪酸；有...

本发明公开了一种发光二极管器件及其制备方法，其中，该方法包括：(1)在阳极表面依次形成空穴传输层和量子点发光层；(2)伴随着搅拌，将强碱的醇溶液滴加至锌盐溶液中进行混合反应，得到反应后液；(3)将反应后液与沉淀剂混合后离心，去除上清液，...

本发明公开了量子点防蓝光保护膜及其制备方法。其中，制备量子点防蓝光保护膜的方包括：(1)将ZnCdS量子点与溶剂混合，得到量子点溶液；(2)将所述量子点溶液分散至透明树脂单体中，得到量子点的树脂溶液；(3)向所述量子点的树脂溶液中加入扩...

本申请提供一种电子传输层材料及其制备方法、半导体器件及制备方法，属于半导体器件制造领域。该电子传输层材料包括ZnAlO/rGO纳米复合物，其制备方法包括备取氧化石墨烯，将氧化石墨烯配置成溶胶，向溶胶中加入导向剂、沉淀剂、Zn盐和Al盐进...