QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及QLED器件技术领域，具体而言，涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件，包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。本发明专利技术的QLED器件在发光层和电子传输层中间插入稀有轻金属碳酸盐层，量子点膜的亮度下降趋势大大降低，稀有轻金属碳酸盐层能够缓解电子传输层的荧光猝灭，从而可提高器件性能。器件性能。器件性能。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及QLED器件
，具体而言，涉及一种QLED器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点已广泛应用于发光二极管,太阳能电池,生物成像，探测器等诸多方面。其中QLED器件(QLED)由于具有高色纯度，发光颜色可调,稳定性好等优点而成为下一代显示技术的有利竞争者。目前QLED器件载流子注入不平衡，限制了其发光效率及寿命。QLED器件常用结构是一个电子传输层，一个空穴传输层，一个量子点发光层，这些空穴传输层、电子传输层可以是有机小分子，有机聚合物，也可以是无机金属氧化物，上述电子传输层和空穴传输层的设置使得发光二极管器件效率从最开始的低于0.01％，提升到10％。但是，由于能级结构不匹配的问题，空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，导致量子点中注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性；再加上外加电场的影响，大大降低了量子点的本身发光效率。另一个问题是量子点和电子传输层之间由于功函差异，存在自发的电荷转移现象，破坏量子点层的电中性，导致发光效率降低，并且电子传输层通常具有高密度的表面缺陷，如氧空位和锌间隙等，这些表面缺陷引入了各种中间间隙态。这些中间间隙缺陷态是主要的非辐射复合中心，负责电荷捕获和/或激子猝灭。
[0003]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的在于提供一种QLED器件，以解决上述技术问题。本专利技术通过在发光层和电子传输层之间设置稀有轻金属碳酸盐层，以阻止发光层与电子传输层之间的影响，提高量子点的斯托克斯位移，从而增强其量子点膜的荧光强度，以提高器件的性能。
[0005]本专利技术的第二目的在于提供一种QLED器件的制备方法。
[0006]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
[0007]QLED器件，包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。
[0008]一些实施方式中，所述稀有轻金属碳酸盐层包括碳酸铯、碳酸铷和碳酸钫中的至少一种。
[0009]一些实施方式中，所述稀有轻金属碳酸盐层的厚度为20～30nm。
[0010]一些实施方式中，所述空穴注入层包括、PTPDES:TPBAH、PEDOT:PSS、MoO2、MoO3、WO2、WO3、PTPDES、PFO
‑
co
‑
NEPBN、PFO
‑
co
‑
NEPBN:F4
‑
TCNQ、CuO和NiO中的一种或者多种。
[0011]一些实施方式中，所述空穴传输层包括PVK、TCTA、Poly:TPD、TFB、CBP和TPD中的一种或者多种。
[0012]一些实施方式中，所述电子传输层包括ZnO、TiO2、SnO2和Alq3中的一种或者多种。
[0013]一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为50～70nm。
[0014]一些实施方式中，所述空穴注入层的厚度为80～100nm。
[0015]一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为80～100nm。
[0016]一些实施方式中，所述发光层包括量子点；所述量子点包括非掺杂的无机钙钛矿型半导体、掺杂的无机钙钛矿型半导体和有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或者多种。
[0017]一些实施方式中，所述发光层包括量子点；所述量子点包括III
‑
V族化合物、II
‑
VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、III
‑
VI化合物、IV
‑
VI族化合物、II
‑
V族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物和IV族单质中的一种或者多种。
[0018]一些实施方式中，所述发光层的厚度为30～50nm。
[0019]所述的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
[0020]在所述ITO玻璃衬底上依次生长空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层；
[0021]所述稀有轻金属碳酸盐层的生长，具体包括：通过旋涂制备所述发光层后，在所述发光层的表面旋涂稀有轻金属碳酸盐溶液。
[0022]一些实施方式中，所述发光层的制备采用量子点溶液；所述量子点溶液的旋涂速率为3950～4050r/min。
[0023]一些实施方式中，所述稀有轻金属碳酸盐层的旋涂速率为9000～11000r/min，旋涂时间为25～35s。
[0024]一些实施方式中，旋涂所述稀有轻金属碳酸盐溶液之后进行退火处理，退火处理的温度为75～85℃，退火处理的时间为12～17min。
[0025]一些实施方式中，所述空穴注入层的生长，具体包括：将空穴注入层溶液旋涂在所述ITO玻璃衬底上，再进行退火处理。
[0026]一些实施方式中，所述空穴注入层溶液的旋涂速率为2950～3050r/min，旋涂时间为25～35s。
[0027]一些实施方式中，所述所述空穴注入层的退火处理的温度为135～145℃，退火处理的时间为25～35min。
[0028]一些实施方式中，所述空穴传输层的生长，具体包括：将空穴传输层溶液旋涂在所述空穴注入层的表面，再进行退火处理。
[0029]一些实施方式中，所述空穴传输层溶液的旋涂速率为2950～3050r/min，旋涂时间为40～50s。
[0030]一些实施方式中，所述空穴传输层的退火处理的温度为105～115℃，退火处理的时间为25～35min。
[0031]一些实施方式中，所述电子传输层的生长，具体包括：将电子传输层溶液旋涂在所述稀有轻金属碳酸盐层的表面，再进行退火处理。
[0032]一些实施方式中，所述电子传输层的旋涂速率为2950～3050r/min，旋涂时间为25～35s。
[0033]一些实施方式中，所述电子传输层的退火处理的温度为75～85℃，退火处理的时间为25～35min。
[0034]一些实施方式中，所述ITO玻璃衬底在生长所述空穴注入层之前进行紫外臭氧处理。
[0035]一些实施方式中，所述阴极层的生长采用蒸镀的方式。
[0036]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0037](1)本专利技术的QLED器件在发光层和电子传输层中间插入稀有轻金属碳酸盐层，量子点膜的亮度下降趋势大大降低，即稀有轻金属碳酸盐层能够缓解电子传输层的荧光猝灭，从而可提高器件性能。
[0038](2)本专利技术的QLED器件的制备方法，可以阻止发光层与电子传输层之间的影响，并提高量子点的斯托克斯位移从而增强其量子点膜的荧光强度，进而提高器件性能。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，包含以下特征一至二的至少一种：一、所述稀有轻金属碳酸盐层包括碳酸铯、碳酸铷和碳酸钫中的至少一种；二、所述稀有轻金属碳酸盐层的厚度为20～30nm。3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，包含以下特征一至六中的至少一种：一、所述空穴注入层包括、PTPDES:TPBAH、PEDOT:PSS、MoO2、MoO3、WO2、WO3、PTPDES、PFO
‑
co
‑
NEPBN、PFO
‑
co
‑
NEPBN:F4
‑
TCNQ、CuO和NiO中的一种或者多种；二、所述空穴传输层包括PVK、TCTA、Poly:TPD、TFB、CBP和TPD中的一种或者多种；三、所述电子传输层包括ZnO、TiO2、SnO2和Alq3中的一种或者多种；四、所述电子传输层的厚度为50～70nm；五、所述空穴传输层的厚度为80～100nm；六、所述空穴注入层的厚度为80～100nm。4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，包含以下特征一至三中的至少一种：一、所述发光层包括量子点；所述量子点包括非掺杂的无机钙钛矿型半导体、掺杂的无机钙钛矿型半导体和有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体中的一种或者多种；二、所述发光层包括量子点；所述量子点包括III
‑
V族化合物、II
‑
VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、III
‑
VI化合物、IV
‑
VI族化合物、II
‑
V族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物和IV族单质中的一种或者多种；三、所述发光层的厚度为30～50nm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，龚克，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：