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本发明涉及QLED器件技术领域，具体而言，涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件，包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。本发明的QLED器件在发光层和电子传输层中间...
该专利属于合肥福纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥福纳科技有限公司授权不得商用。

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