量子点发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了量子点发光器件及其制备方法。制备量子点发光器件的方法包括：提供基板；在所述基板的一侧表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成阴极，得到量子点发光器件。由此，通过水汽处理可以钝化量子点表面的缺陷，进而减少量子点表面缺陷引起的激子淬灭，使得电子空穴对能够更好的进行辐射并发光，进而提高量子点发光器件的发光效率并延长器件的使用寿命。发光效率并延长器件的使用寿命。发光效率并延长器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点
，具体的，涉及量子点发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点作为一种独特的发光材料，其具有发光波长可随量子点尺寸大小调节、色域宽、发光效率高、光稳定性和热稳定性高且容易溶解等优点，近年来量子点已经被广泛应用于发光二极管的器件研究中。
[0003]量子点发光器件结构由全有机结构逐渐向有机无机杂化混合结构转变，为了提升器件稳定性，也有学者研究全无机结构的器件。在QLED(量子点发光二极管)器件结构优化的过程中，量子点发光器件的性能已经取得了很大的提高，但是QLED器件的外量子效率(EQE)和器件寿命仍然是制约QLED器件应用的主要因素。
[0004]因此，目前的量子点发光器件及其制备方法仍有待改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术是基于专利技术人对以下事实和问题的发现和认识做出的：
[0006]如前所述，QLED器件的外量子效率(EQE)和器件寿命仍然是制约QLED器件应用的主要因素。专利技术人发现，影响QLED器件的外量子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备量子点发光器件的方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的一侧表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成量子点层；对形成有所述量子点层的器件进行水汽处理，得到预处理器件；在所述量子点层远离所述阳极的一侧形成阴极，得到量子点发光器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水汽处理的时间不超过5min。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阴极是通过蒸镀形成的，蒸镀电流为2A～4A，蒸镀速率为5～10晶振点/秒。4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述量子点层之前，进一步包括：在所述阳极远离所述基板的表面上涂覆空穴注入层溶液，并进行第一加热处理，得到空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的表面上涂覆空穴传输层溶液，并进行第二加热处理，得到空穴传输层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：涂覆所述空穴注入层溶液的方法为旋涂，转速为4000r/min～6000r/min；第一加热处理的温度为140℃～150℃，第一加热处理的时间为20min～30min；涂覆所述空穴传输层溶液的方法为旋涂，转速为2000r/min～4000r/min；第二加热处理的温度为130℃～140℃，第二加热处理的时间为20min～30min。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述量子点层包括：在所述空穴传输层远离所述阳极的表面上涂覆量子点溶液，并进行第三加热处理，得到所述量子点层。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，得到所述预处理器件之后，进一步包括：在所述量子点层远离所述阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏生，龚克，宋斌，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：