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合肥福纳科技有限公司专利技术
合肥福纳科技有限公司共有128项专利
金属量子点核壳异质结材料及其制备方法技术
本申请涉及半导体纳米材料领域,具体而言,涉及一种金属量子点核壳异质结材料及其制备方法。金属量子点核壳异质结材料的制备方法,包括:将金属盐、油胺和有机磷溶于有机溶剂中得到第一混合液;对第一混合液进行加热分散,并排除第一混合液中的水和氧;在...
碳量子点及其制备方法技术
本申请涉及量子点领域,具体而言,涉及一种碳量子点及其制备方法。该方法包括将苯胺与第一溶液反应,得到苯胺盐;将苯胺盐与第二溶液聚合反应,得到聚苯胺;对聚苯胺进行分段热处理实现石墨化处理。通过化学氧化聚合法对苯胺单体聚合过程进行改性,在聚合...
一种量子点纯化废液回收利用方法技术
本申请提供一种量子点纯化废液回收利用方法,该方法包括:获取量子点纯化废液;其中,量子点纯化废液中包括烷烃和醇;将量子点纯化废液进行蒸馏,得到烷烃和醇的混合液;将待纯化的量子点放置在混合液中进行纯化。在本申请实施例中,通过对量子点纯化废液...
热敏材料及其制备方法和热敏传感器技术
本发明提供了一种热敏材料及其制备方法和热敏传感器,将金属氧化物纳米颗粒和无机盐的混合溶液涂布后固化成膜,得到该热敏材料;其中,所述金属氧化物纳米颗粒包括ZnO、NiO、W
一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法制造方法及图纸
一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法,属于发光二极管领域。该方法包括:在量子点发光二极管的空穴传输层和量子点层之间的界面进行修饰,且修饰是通过在两者之间的界面制作有机分子层实施;通过上述修饰,空穴传输层和量子点层之间的...
具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件技术
本申请涉及量子点领域,具体而言,涉及一种具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件。制备方法其包括:将三苄胺溶液和第一量子点溶液混合,并将混合液加热到40~80℃进行反应;第一量子点包括第一配体和核壳结构,第一配体包括油酸、油胺或者...
量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件技术
本申请提供一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件,制备方法包括:在衬底基板上依次形成阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极铝金属层;利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流,以在所述阴极铝金属层表面形成粗糙的氧化铝...
一种QLED及其制作和提高其出光率的方法技术
一种QLED及其制作和提高其出光率的方法,属于发光二极管领域。提高QLED出光率的方法包括在QLED的透明基体的外表面制作由纳米柱阵列构成的衍射结构。通过在QLED中形成上述衍射结构可以改善器件的出光率。
量子点回收装置制造方法及图纸
本申请提供一种量子点回收装置,包括:回收容器、第一导流板及第一液体容腔、第二导流板及第二液体容腔;第一液体容腔设置于第一导流板上,以用于给第一导流板的内侧壁提供液体流;第二液体容腔设置于第二导流板上,以用于给第二导流板的内侧壁提供液体流...
一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统技术方案
本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统,该量子点发光二极管包括公共电极层,其用于传输电子以及空穴并与外部的交流电源的第一端连接;阴极金属层和阳极金属层,阴极金属层设置于公共电极层的上方,阳极金属层设置于公共电极层的...
一种量子点器件及显示装置制造方法及图纸
本申请涉及量子点器件领域,具体而言,涉及一种量子点器件及显示装置。量子点器件包括叠放设置的阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极;量子点层与电子传输层之间设置有第一有机氟层;第一有机氟层的材料选自芳香族氟化合物或者脂...
封装结构和量子点发光器件制造技术
本实用新型涉及发光电子器件封装技术领域,尤其涉及一种封装结构和量子点发光器件。该封装结构包括材质为无机材料的封装罩,所述封装罩内部形成与量子点发光本体相适配的封装空间。该量子点发光器件包括该封装结构。该封装结构和该量子点发光器件能够在保...
多层发光量子点器件制造技术
本实用新型涉及量子点技术领域,尤其是涉及一种多层发光量子点器件。多层发光量子点器件,自下而上包括底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极;所述量子点发光层包括交替设置的量子点层和缓冲层;所述电子传输层与所述量子点...
一种光转换膜及制备方法、防蓝光眼镜、照明及显示设备技术
本发明公开了一种光转换膜及制备方法、防蓝光眼镜、照明及显示设备,所述转换膜包括光转换材料,所述光转换膜用于将入射光转换为出射光;其中:所述入射光的波长短于第一波长,所述出射光的波长位于第二波长范围内;所述第一波长的长度属于380-500...
一种采用格氏试剂钝化量子点的方法技术
本发明提供了一种采用格氏试剂钝化量子点的方法,利用格氏试剂对油溶性量子点进行钝化后,格氏试剂中的卤素会与量子点表面的有机配体发生交换,有效钝化量子点表面、提高量子点稳定性;格氏试剂中的金属镁也会钝化量子点表面的阳离子空位,进一步增强量子...
一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件技术
本发明提供了一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件,包括以下步骤:将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应,其中:所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。利用气体填补金属氧化物纳米颗粒...
量子点的后处理方法、制备方法及制得的量子点和应用技术
本发明提供了一种量子点的后处理方法、制备方法及制得的量子点和应用,包括以下步骤:在惰性气氛条件下,在油溶性量子点核溶液中加入修饰剂进行反应,修饰后再加入沉淀剂进行清洗,分离得到表面不被氧化的量子点核;所述修饰剂包括烷基磷酸类化合物和/或...
量子点的制备方法、光敏层和太阳能电池器件技术
本发明提供了一种量子点的制备方法、光敏层和太阳能电池器件,将格氏试剂、阴离子前驱体和金属卤化物分散在非共融试剂中,得到混合分散液,将所述混合分散液升温并保温进行反应,反应后冷却、纯化,得到量子点。采用对前驱体混合溶液连续升温的方法,在加...
量子点的制备方法、光敏材料层和光伏器件技术
本发明提供了一种量子点的制备方法、光敏材料层和光伏器件,包括以下步骤:将格氏试剂和阴离子前驱体分散在非共融溶剂中,得到混合溶液;加热所述混合溶液至成核反应时溶液的温度范围内,将金属卤化物的溶液注入至所述混合溶液中,进行成核反应,反应后冷...
树脂封装材料及QLED器件的制备方法技术
本申请提供一种树脂封装材料及QLED器件的制备方法,属于封装材料领域。树脂封装材料的制备方法包括:将环氧树脂采用氟化物质进行改性处理,得到氟改性体系;将所述氟改性体系和二聚酸在85~95℃的条件下进行第一反应,使得所述氟改性体系的部分环...
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