一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法制造方法及图纸

一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法，属于发光二极管领域。该方法包括：在量子点发光二极管的空穴传输层和量子点层之间的界面进行修饰，且修饰是通过在两者之间的界面制作有机分子层实施；通过上述修饰，空穴传输层和量子点层之间的界面势垒被减小。通过该方法可以使空穴更易于传输，从而能够提高电子和空穴的复合速率，改善器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法
本申请涉及发光二极管领域，具体而言，涉及一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法。
技术介绍
现有的量子点发光二极管(QLED)通常由电极、电荷注入层和电荷传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及电极等薄膜结构堆叠而成。通电后，向量子点层中注入电子和空穴，使电子和空穴在量子点中复合发光。目前，QLED的内量子点效率为100％；经过多年发展，红绿蓝(RGB)三色QLED的外量子效率(EQE)达到20％。但是QLED的稳定性和器件寿命仍然是制约QLED应用的主要因素。
技术实现思路
基于上述的不足，本申请提供了一种发光装置、量子点发光二极管及其制备和改善寿命的方法，以部分或全部地改善、甚至解决相关技术中的问题。本申请是这样实现的：在第一方面，本申请的示例提供了一种改善量子点发光二极管寿命的方法。该方法包括：在量子点发光二极管的空穴传输层和量子点层之间的界面进行修饰。并且，该修饰是通过在两者之间的界面制作有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善量子点发光二极管寿命的方法，所述量子点发光二极管具有空穴传输层和量子点层，其特征在于，所述方法包括：/n在所述空穴传输层和所述量子点层之间的界面进行修饰，且所述修饰是通过在两者之间的界面制作有机分子层实施，以减小所述空穴传输层和所述量子点层之间的界面势垒。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善量子点发光二极管寿命的方法，所述量子点发光二极管具有空穴传输层和量子点层，其特征在于，所述方法包括：
在所述空穴传输层和所述量子点层之间的界面进行修饰，且所述修饰是通过在两者之间的界面制作有机分子层实施，以减小所述空穴传输层和所述量子点层之间的界面势垒。


2.根据权利要求1所述的改善量子点发光二极管寿命的方法，其特征在于，所述有机分子层采用极性分子。


3.根据权利要求2所述的改善量子点发光二极管寿命的方法，其特征在于，所述有机分子为三异丁基胺或二乙胺。


4.一种量子点发光二极管，具有空穴传输层和量子点层，其特征在于，包括形成于所述空穴传输层和所述量子点层之间的有机分子层；
其中，所述有机分子层由根据权利要求1至3中任意一项所述的改善量子点发光二极管寿命的方法中的有机分子层提供。


5.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：依次层状堆叠的阴极、电子传输层、量子点层、有机分子层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；
其中，所述有机分子层由根据权利要求1至3中任意一项所述的改善量子点发光二极管寿命的方法中的有机分子层提供。


6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为TFB或Poly-TPD，所述有机分子层为三异丁基胺，所述量子点层含有机配体，且所述有机配体包裹于作为内层的量子点；
可选地，所述量子点具有核壳结构。


7.一种量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：依次逐层地制作阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机分子层、量子点层、电子传输层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凯旋，蒋畅，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34