一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件技术

本发明专利技术提供了一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件，包括以下步骤：将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应，其中：所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。利用气体填补金属氧化物纳米颗粒表面的氧空位后，能够有效降低金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率，能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的电荷传输性能，从而改善和提高了量子点发光二极管的效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件
本专利技术涉及QLED器件制备
，具体而言，涉及一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件。
技术介绍
量子点显示技术做为下一代新型显示技术而被受关注，主要是由于量子点具有较窄的发射光谱并且颜色可调，光化学稳定性高，荧光寿命长等优越的特性；近年来量子点显示技术在逐步的往商业化阶段稳步推进，其中光致膜已经进入成熟的商业化阶段，然而针对与量子点技术业界真正追求还是电致自驱动的显示技术，量子点电致发光二极管(QLED)相比于已经产业化的有机电致发光二极管(OLED)具有较高的效率、色纯、低能耗等特点。量子点电致发光二极管(QLED)真正走向商业化道路还需要一定的时间，在此之前还有很多技术难题需要进一步的解决，其中第一个技术难题就是量子点发光器件的寿命还没达到商业化需求。针对于量子点发光器件寿命而言，影响寿命的主要因素是电荷注入不平衡；其中影响电荷注入不平衡的具体因素有很多如电子传输层的电子迁移率快慢问题、空穴传输层的空穴迁移率快慢问题、量子点光热稳定性问题、器件结构是否合理问题、封装方式问题等。针对电子迁移率快慢问题现有技术中已经有很多相应的技术进行优化，较多的技术方案都是采用表面修饰对金属氧化物纳米颗粒固态膜进行修饰处理改变与不同膜层界面之间的接触；该类技术方案会造成量子点发光器件固态膜(电子传输层)的致密性，进而会影响器件的寿命和器件制备的重复性。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种金属氧化物纳米颗粒的处理方法，该方法利用特定的气体填补金属氧化物纳米颗粒表面的氧空位后，能够有效降低金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率，能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的电荷传输性能。本专利技术的第二目的在于提供一种处理后的金属氧化物纳米颗粒所制备的QLED器件，改善和提高了量子点发光二极管的效率和寿命。为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：一种金属氧化物纳米颗粒的处理方法，包括以下步骤：将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应，其中：所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。优选的，所述的金属氧化物纳米颗粒的处理方法，具体包括以下步骤：在惰性气氛保护下，将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中并搅拌进行反应，反应结束后加入碱溶液，添加沉淀剂后分离得到处理后的金属氧化物纳米颗粒；优选的，所述分离采用离心分离。优选的，所述金属氧化物纳米颗为n型半导体纳米颗粒，优选的，所述金属氧化物纳米颗粒包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的至少一种。优选的，所述气体包括H2、O2、O3、H2S、Cl2、Br2和F2中至少一种；优选的，所述气体选自H2和/或O2。优选的，所述气体的通入量与所述金属氧化物纳米颗粒的摩尔质量比为(0.01mol～1mol)：1g，更优选的摩尔质量比为(0.05mol～0.5mol)：1g。优选的，所述沉淀剂包括乙酸乙酯、甲酸乙酯、丁酸乙酯、丙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丁酯和乙酸丙酯中的至少一种。优选的，所述将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液的过程中，所述气体通入的时间为5～120min，更优选的时间为30～90min。优选的，所述碱包括氨水、四甲基氢氧化铵、KOH和NaOH中的至少一种。所述的金属氧化物纳米颗粒的处理方法所得到的金属氧化物纳米颗粒。一种电子传输层材料，采用所述的金属氧化物纳米颗粒制备得到。一种QLED器件，包括依次连接的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层采用所述的电子传输层材料制备得到。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：(1)本专利技术所提供的金属氧化物纳米颗粒的处理方法，用特定的气体填补金属氧化物纳米颗粒表面的氧空位后，能够有效增大金属氧化物纳米颗粒固态膜的能级势垒进而降低电子迁移率。(2)本专利技术所提的QLED器件，改善和提高了量子点发光二极管的效率和寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的方法流程示意图；图2为本专利技术实施例所提供的QLED器件截面结构示意图；图3为本专利技术另一实施例所提供的QLED器件截面结构示意图；图4为本专利技术实施例所提供的QLED器件各层能级示意图。具体实施方式下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。本专利技术提供的一种金属氧化物纳米颗粒的处理方法，将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应，其中：所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷，具体为所述其他的通入减少了金属氧化物纳米颗粒表面对电子迁移起到增益效果的本征缺陷。在本专利技术的具体实施方式中，如图1所示，在惰性气氛保护下，将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中并搅拌进行反应，反应结束后加入碱溶液，添加沉淀剂后分离得到处理后的金属氧化物纳米颗粒；优选的，所述分离为离心分离。采用一种现有的方法制备一定浓度的金属氧化物纳米颗粒的溶液，并置于密闭的容器中用惰性气体保护；然后，向金属氧化物纳米颗粒溶液中通入气体并搅拌，反应结束后，能够有效填补金属氧化物纳米颗粒表面的氧空位；再向金属氧化物纳米颗粒的溶液中添加适量的碱，以增加金属氧化物纳米颗粒表面的羟基，保证溶液中的金属氧化物纳米颗粒具有较好的溶解性；然后采用常规清洗方式对金属氧化物纳米颗粒进行清洗。可以利用制备的金属氧化物纳米颗粒配置成一定浓度的溶液，并进行QLED器件的制备。优选的，所述金属氧化物纳米颗为n型半导体纳米颗粒；所述气体包括H2、O2、O3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属氧化物纳米颗粒的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应，其中：所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物纳米颗粒的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应，其中：所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。


2.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米颗粒的处理方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
在惰性气氛保护下，将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中并搅拌进行反应，反应结束后加入碱溶液，添加沉淀剂后分离得到处理后的金属氧化物纳米颗粒；
优选的，所述分离为离心分离。


3.根据权利要求1所述的金属氧化物纳米颗粒的处理方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗为n型半导体纳米颗粒，优选的，所述金属氧化物纳米颗粒包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的至少一种；
所述气体包括H2、O2、O3、H2S、Cl2、Br2和F2中至少一种；优选的，所述气体选自H2和/或O2。


4.根据权利要求2所述的金属氧化物纳米颗粒的处理方法，其特征在于，所述气体的通入量与所述金属氧化物纳米颗粒的摩尔质量比为(0.01mol～1mol)：1g，优选的摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁兴焕，汪鹏生，乔之勇，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34