量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件技术

本申请提供一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件，制备方法包括：在衬底基板上依次形成阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极铝金属层；利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，以在所述阴极铝金属层表面形成粗糙的氧化铝阻挡层，得到量子点发光器件。本申请利用金属铝易氧化的化学性质，在一定的温度条件下对金属铝施加电流处理，使阴极的金属铝发生氧化来提高量子点发光器件的稳定性。

Preparation method and quantum dot light emitting device

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件
本申请涉及LED
，具体而言，涉及一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件。
技术介绍
量子点LED是一种使用量子点进行发光的器件，量子点是半导体纳米晶体，可以产生纯单色的红光、绿光和蓝光。量子点LED的阴极一般选择金属材料，金属功函数的大小直接影响着量子点LED的发光效率和使用寿命，金属功函数越低，电子注入越容易，发光效率越高，而金属功函数越低，器件工作中产生的焦耳热就越少，器件寿命就会大大延长，量子点LED的阴极材料通常选择功函数低的金属，例如铝。但由于器件使用过程中，空气中的水和氧(尤其是水)容易对金属铝产生较大影响，这将影响量子点LED的器件稳定性。目前，采用的解决手段是通过封装工艺，利用封装胶在器件外层进行封装，保证封装完成后，可以隔离空气中的水和氧。但这种方式也难以避免空气中少量的水和氧通过封装胶渗透进入器件内部，渗透的水和氧仍会对金属铝造成影响。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件，以解决上述技术问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上依次形成阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极铝金属层；/n利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，以在所述阴极铝金属层表面形成粗糙的氧化铝阻挡层，得到量子点发光器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极铝金属层；
利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，以在所述阴极铝金属层表面形成粗糙的氧化铝阻挡层，得到量子点发光器件。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，包括：
25～150℃的温度条件下，在氧含量为5％～10％的氮氧混合气体的环境中利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，包括：
25～150℃的温度条件下，在空气环境中利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，包括：
对衬底基板上形成的阳极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极铝金属层进行封装，得到一封装器件；
利用电流输出设备向所述封装器件上的阴极铝金属层施加电流，直至在所述阴极铝金属层表面形成粗糙的氧化铝阻挡层，得到所述量子点发光器件。


5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述利用电流输出设备向所述阴极铝金属层施加电流，包括：
利用电流输出设备向所述阴极铝金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：完亮亮，龙能文，管子豪，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34