一种单核制造技术

本申请涉及量子点的制备技术领域，具体而言，涉及一种单核

【技术实现步骤摘要】
一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点及其制备方法


[0001]本申请涉及量子点的制备
，具体而言，涉及一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点及其制备方法。

技术介绍

[0002]Ⅲ‑Ⅴ
族量子点由于其具有独特的电子和光学性质，广泛应用于光通讯、探测、发光二极管以及生物成像等领域。
[0003]依赖Focusing理论，
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的成核以及生长过程难以分开，致使现有的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点存在尺寸瓶颈；同时，随着单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点尺寸增加，单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的尺寸分布较宽，导致量子点尺寸均一性较差，极大地阻碍了单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的产业化进程。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点及其制备方法，其旨在改善现有的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点尺寸较小且尺寸均一性较差的问题。
[0005]本申请第一方面提供一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，包括依次执行如下步骤：
[0006]将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种与外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应。其中，第一阴离子源和第二阴离子源均为
Ⅴ
族源。
[0007]本申请制备的外延用阳离子源能够与
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种表面的不饱和键以及悬键键合，提高
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种的稳定性，有利于后续量子点稳定生长。加入有机酸进行第四反应，然后再加入为
Ⅴ
族源的第二阴离子源进行第五反应，使得量子点进一步生长。由于第三反应后的体系中会存在量子点的自成核现象，有机酸能够与自成核量子点发生键合作用，有利于自成核量子点后续有序生长，有利于提高最终制得的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的尺寸均一性。本申请制备的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。
[0008]本申请第二方面提供一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点，采用上述第一方面提供的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法制得。
[0009]本申请制备的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点尺寸大且尺寸均一性较佳，能够满足产业化的需求。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这
些附图获得其他相关的附图。
[0011]图1示出了本申请实施例1的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0012]图2示出了本申请实施例2的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0013]图3示出了本申请实施例3的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0014]图4示出了本申请实施例4的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0015]图5示出了本申请实施例5的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0016]图6示出了本申请实施例6的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0017]图7示出了本申请对比例1的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0018]图8示出了本申请对比例2的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0019]图9示出了本申请对比例3的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
[0020]图10示出了本申请对比例4的制备InP晶种和单核InP量子点的紫外
‑
可见光吸收图。
具体实施方式
[0021]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0022]下面对本申请实施例提供的一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点及其制备方法进行具体说明。
[0023]本申请提供一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法包括依次执行如下步骤：
[0024]将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种与外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应。其中，第一阴离子源和第二阴离子源均为
Ⅴ
族源。
[0025]可以理解的是，
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点可以为InP量子点、InAs量子点、GaP量子点以及GaAs量子点等等。在本实施例中，
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点为InP量子点或InAs量子点。
[0026]在本实施例中，Ⅲ族源选自铟源，例如，阳离子是In
3+
的盐类物质；进一步地，铟源包括醋酸铟、硝酸铟、乙酰丙酮铟、氯化铟以及硫酸铟中的至少一种。需要说明的是，在本申请的其他实施例中，铟源也不限于上述物质，例如，铟源也可以为碳酸铟、溴化铟、碘化铟、
十四酸铟或硬脂酸铟等；此外，Ⅲ族源可以选自镓源等其他Ⅲ族阳离子源，例如，氯化镓、碘化镓、硝酸镓、醋酸镓、氧化镓、油酸镓、乙酰丙酮镓或硬脂酸镓等。
[0027]在本实施例中，
Ⅴ
族源选自磷源或砷源；进一步地，
Ⅴ
族源选自三(三甲基硅基)磷或三(三甲基甲硅烷基)砷。
[0028]需要说明的是，本说明书中以下出现的Ⅲ族源以及
Ⅴ
族源均满足上述限定范围，故不再进行赘述。
[0029]外延用阳离子源由Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制得。
[0030]在本实施例中，第一配体包括碳原子数目≥6的饱和脂肪酸以及碳原子数目≥6的不饱和脂肪酸中的至少一种；进一步地，第一配体包括棕榈酸、油酸、十四酸、十六酸、十二酸以及十八酸中的至少一种。上述配体具有填补量子点的表面电子缺陷的效果，从而提高量子点的光学性能；同时也为量子点提供稳定的表面保护，防止粒子与粒子之间的聚集，保证量子点的胶体稳定性。需要说明的是，在本申请的其他实施例中，第一配体也不限于上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，其特征在于，包括依次执行如下步骤：将Ⅲ族源、第一配体以及非配位性溶剂混合进行第一反应制备外延用阳离子源；将
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种与所述外延用阳离子源混合进行第二反应、加入第一阴离子源进行第三反应、加入有机酸进行第四反应以及加入第二阴离子源进行第五反应；其中，所述第一阴离子源和所述第二阴离子源均为
Ⅴ
族源。2.根据权利要求1所述的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，其特征在于，所述有机酸与所述外延用阳离子源的摩尔比为(0.05
‑
0.5)：1；可选地，所述有机酸与所述外延用阳离子源的摩尔比为(0.1
‑
0.3)：1。3.根据权利要求1所述的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，其特征在于，所述第一阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比以及所述第二阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比均为(0.06
‑
0.25)：1；可选地，所述第一阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比以及所述第二阴离子源与所述外延用阳离子源的摩尔比均为(0.15
‑
0.20)：1。4.根据权利要求1所述的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，其特征在于，所述第二反应前还包括对所述
Ⅲ‑Ⅴ
族晶种进行预处理；所述预处理的温度为210
‑
260℃，所述预处理的时间为10
‑
60min；可选地，所述预处理的温度为220
‑
240℃，所述预处理的时间为20
‑
40min。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的单核
Ⅲ‑Ⅴ
族量子点的制备方法，其特征在于，所述有机酸选自一元有机酸、二元有机酸或多元有机酸，且所述有机酸中的碳原子数目≥6；所述
Ⅴ
族源选自磷源或砷源；可选地，所述有机酸包括油酸、棕榈酸、十二烷酸、十四烷酸、十八烷酸中的至少一种；可选地，所述
Ⅴ
族源选自三(三...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙笑，程陆玲，丁云，蒋畅，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：