一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用技术

本申请实施例提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用，涉及量子点处理技术领域。本申请提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：先将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，再将混合液进行第一阶段的混合加热，得到第一溶液；然后将第一溶液与具有p

【技术实现步骤摘要】
一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用


[0001]本申请涉及量子点处理
，具体而言，涉及一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用。

技术介绍

[0002]目前，量子点已经被广泛的应用于细胞成像、荧光探针、量子点敏化太阳能电池、发光二极管等领域。量子点由于其尺寸非常小，比表面积大，因此特别容易团聚在一起；另外量子点的表面有大量未被电子占据的空轨道，受到激发的电子很容易被其表面的空轨道捕获，导致电子不会回迁发出光子，进一步导致量子点荧光淬灭。
[0003]针对量子点的表面存在大量的空轨道而影响发光效率的问题，通常采用以无机物或有机物作为配体来钝化量子点的表面缺陷，消除受到激发的电子容易被表面空轨道俘获的状态。通过无机物或有机物配体对量子点的表面缺陷进行修饰可以显著提高量子点的产率，但是使用无机物配体不可避免的会引入杂质离子，增加了后续后处理的难度；而使用的有机物配体通常其末端位阻较大，难以钝化量子点表面的全部缺陷。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用，能够修饰量子点表面的缺陷，提高量子点的发光效率，将制备得到的量子点产品用于形成量子点发光器件中的量子点发光层，能够提高器件性能。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：
[0006]将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，将混合液进行第一阶段的混合加热得到第一溶液；
[0007]再将第一溶液与具有p
‑
π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；
[0008]采用非极性溶剂和极性溶剂对第二溶液进行清洗。
[0009]在上述实现过程中，通过有机配体对量子点表面的缺陷进行第一阶段的修饰；再通过具有p
‑
π共轭结构的卤代物对第一阶段修饰过的量子点表面上还未修饰以及第一阶段修饰后脱落的位置进行第二阶段的修饰，进一步钝化量子点表面的缺陷，从而提高量子点的发光效率。量子点表面的缺陷主要是指在量子点的表面存在大量未被电子占据的空轨道，受到激发的电子很容易被表面的空轨道捕获，导致电子不会回迁发出光子，进而导致荧光淬灭。本申请实施例以有机物和无机物作为配体来钝化量子点的表面，能够很好的消除受到激发的电子容易被表面空轨道俘获的状态。
[0010]在一种可能的实现方式中，量子点溶液中的量子点选自包括ZnSe、CdSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge组成的组合中至少一种。
[0011]在上述实现过程中，可以根据生产情况选择不同的量子点进行制备，能够通过对
其施加一定的电场或光压，便会发出特定频率的光。
[0012]在一种可能的实现方式中，有机配体选自包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸和十八烷基磷酸组成的组合中至少一种。
[0013]在上述实现过程中，有机配体可以钝化量子点表面的缺陷，进一步消除受到激发的电子容易被量子点表面的空轨道捕获的情况。
[0014]在一种可能的实现方式中，具有p
‑
π共轭结构的卤代物选自包括1
‑
氯
‑1‑
丁烯、1
‑
溴
‑1‑
丁烯、反式
‑
1,3
‑
二氯
‑1‑
丙烯和1,3
‑
二氯丙烯组成的组合中至少一种；可选地，卤代物选自1,2
‑
二氯乙烯、1
‑
氯
‑1‑
丁烯、1
‑
溴
‑1‑
丁烯、1,3
‑
二氯丙烯中的至少一种。
[0015]在上述实现过程中，具有p
‑
π共轭结构的卤代物可以对已经用有机配体修饰的量子点表面还未修饰以及修饰后脱落的位置进行进一步的修饰，从而提高量子点的发光效率，同时相较于卤素无机盐，不会引入杂质离子，对后续量子点的提纯有利。
[0016]在一种可能的实现方式中，非极性溶剂选自包括氯仿、甲苯、二甲苯、氯苯、环己烷、正庚烷、正己烷和正辛烷组成的组合中至少一种；和/或，极性溶剂选自包括甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、乙酸和乙腈组成的组合中至少一种。
[0017]在上述实现过程中，将已经修饰过的量子点加入非极性溶剂使其溶解，再加入极性溶剂使其沉淀，然后离心分离进行清洗提纯。
[0018]在一种可能的实现方式中，第一阶段的混合加热的温度为10
‑
350℃；和/或，第一阶段的混合加热的时间为0.5
‑
1.5h。
[0019]在上述实现过程中，控制有机配体与量子点混合加热的温度与时间，使有机配体修饰量子点表面缺陷的效果更好。
[0020]在一种可能的实现方式中，第二阶段的混合加热的温度为10
‑
350℃；和/或，第二阶段的混合加热的时间为0.5
‑
1.5h。
[0021]在上述实现过程中，控制具有p
‑
π共轭结构的卤代物与第一阶段修饰后的量子点混合加热的温度和时间，使具有p
‑
π共轭结构的卤代物对量子点表面缺陷的进一步修饰的效果更好。
[0022]在一种可能的实现方式中，混合液中有机配体的浓度为量子点溶液的浓度的1
‑
300％；和/或，混合液中具有p
‑
π共轭结构的卤代物的浓度为量子点溶液的浓度的1
‑
300％。
[0023]在上述实现过程中，控制有机配体的加入量以及具有p
‑
π共轭结构的卤代物的加入量在一定范围内，能够保证对量子点表面缺陷的修饰效果，同时也节约成本。
[0024]在一种可能的实现方式中，一种量子点产品由上述用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到。
[0025]在上述实现过程中，使用用于修饰量子点表面缺陷的方法制备得到的量子点产品，其发光效率得到有效提高。
[0026]在一种可能的实现方式中，一种量子点产品用于形成量子点发光器件中的量子点发光层。
[0027]在上述实现过程中，使用该方法对量子点表面的缺陷进行修饰，提高量子点的发光效率，可以将其应用于量子点发光器件中，提高器件的性能。
具体实施方式
[0028]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0029]下面对本申请实施例提供的用于修饰量子点表面缺陷的方法、量子点产品及应用进行具体说明。
[0030]本申请实施例提供一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，包括以下步骤：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：将量子点溶液与有机配体混合得到混合液，将所述混合液进行第一阶段的混合加热，得到第一溶液；再将所述第一溶液与具有p
‑
π共轭结构的卤代物进行第二阶段的混合加热，得到第二溶液；采用非极性溶剂和极性溶剂对所述第二溶液进行清洗。2.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点选自包括ZnSe、CdSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge组成的组合中至少一种。3.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述有机配体选自包括油酸、油胺、辛胺、三辛基磷、三辛基氧磷、十四烷基磷酸和十八烷基磷酸组成的组合中至少一种。4.根据权利要求1所述的用于修饰量子点表面缺陷的方法，其特征在于，所述具有p
‑
π共轭结构的卤代物选自包括1,2
‑
二氯乙烯、1
‑
氯
‑1‑
丁烯、1
‑
溴
‑1‑
丁烯、反式
‑
1,3
‑
二氯
‑1‑
丙烯、1,3
‑
二氯丙烯、2
‑
氯
‑1‑
辛烯、2,9
‑
二氯
‑1‑
辛烯组成的组合中至少一种；可选地，所述卤代物选自1,2
‑
二氯乙烯、1
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，汪鹏生，丁云，龚克，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：