本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底一侧表面形成外延层；于外延层远离衬底的表面形成第一导电层；于衬底远离外延层的表面形成第二导电层；并形成沟槽，沟槽沿厚度方向贯穿第一导电层，并延伸至外延层内...

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件，包括：衬底、第一导电类型的外延层、栅极结构、覆盖介质层、栅极引出电极、引出孔、源极引出电极、第二导电类型的埋层以及隔离绝缘层。其中，覆盖介质层内具有开口，开口暴露出栅极结构。栅极引出...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的表面形成第一导电类型的第一外延层；于第一导电类型的第一外延层远离衬底的表面形成第二导电类型的外延材料层，第二导电类型与第一导电类型不同；于第二...

本申请涉及一种半导体结构及制备方法。该方法包括：提供衬底；于衬底一侧表面形成第一导电类型的第一外延层及第二导电类型的第二外延层；刻蚀第二外延层，以形成图形化外延层及第一沟槽；形成第一导电类型的覆盖层，覆盖第二外延层及裸露的第一外延层；形...

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件，包括：衬底、第一导电类型的外延层、第二导电类型的埋层、栅极结构、覆盖介质层、栅极引出电极、引出孔、源极引出电极以及隔离绝缘层。其中，覆盖介质层覆盖栅极结构；覆盖介质层内具有开口，开口...

本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法包括：提供一基底，并在基底上形成沟槽；在基底表面和沟槽上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层暴露沟槽的第一侧壁；以图案化的掩膜层为掩膜，并从预设注入方向和预设注入角度对第一侧壁进...

本发明涉及一种碳化硅衬底的回收方法及回收系统。碳化硅衬底的回收方法包括：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底的表面具有缺陷层；对缺陷层进行处理，以使得缺陷层转变为非晶层；采用湿法刻蚀工艺去除非晶层。由于无需复杂的工艺步骤即可实现对碳化硅衬底的回收...

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，其中沟槽型晶体管包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底表面，所述外延层包括至少一个栅极结构、与至少一个所述栅极结构分别对应的屏蔽区和金属区，所述屏蔽区包裹对应的所述栅极结构的至少一侧，所述金属...

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供包括衬底和外延层的基底；在外延层内形成分立的多个掺杂区；刻蚀部分掺杂区和外延层，形成第一开口；在第一开口内的侧壁形成第一牺牲层，并第一开口内填充第二牺牲层；形成至少在底部暴露...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；外延层，位于所述衬底的上表面；沟槽，沿厚度方向贯穿所述外延层；氧化层，位于所述沟槽的侧壁及底部；位于所述沟槽底部的氧化层的厚度大于位于所述沟槽侧壁的氧化层的厚度；栅极，位于所述...

本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；于碳化硅衬底的上表面形成第一图形化掩模层，第一图形化掩模层内具有第一开口；基于第一图形化掩模层刻蚀碳化硅衬底，以于碳化硅衬底内形成初始沟槽；初...

本申请涉及一种刻蚀深度监测系统，包括：上位机；刻蚀腔室；刻蚀腔室内具有载台，载台之上承载有晶圆；激光器，位于刻蚀腔室的上方，用于产生入射光信号；第一电机，一端与激光器连接，另一端与上位机连接；光线控制装置，位于刻蚀腔室的上方；光线控制装...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底及外延层；于外延层内形成离子注入层；在第一预设环境下对离子注入层进行第一热处理，以形成初始氧化层，初始氧化层的第一中心氧化层厚度大于第一边缘氧化层厚度；第一预设环境包括第一预设...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法，包括：形成外延层；于所述外延层内形成圆角沟槽；于所述圆角沟槽的底部形成第一介质层；于所述第一介质层的表面及所述圆角沟槽的侧壁形成第二介质层，以及于所述圆角沟槽内形成导...

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，其中沟槽型晶体管包括：衬底；位于所述衬底内的多个栅极结构，所述栅极结构沿相互垂直的两个方向排列，且相交围成多个方形；位于各个所述方形的至少一个直角内侧的屏蔽区，所述屏蔽区覆盖所在侧的栅极结构的至少...

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述沟槽型晶体管包括：衬底；位于所述衬底内的长条形栅极结构；位于所述长条形栅极结构的至少一侧，且沿栅极长度方向分布的若干分立的屏蔽区，所述屏蔽区包裹所在侧的栅极结构的侧壁与栅极结构底部连接处的拐角...

本申请公开一种半导体器件及形成方法，包括：提供半导体基底，基底表面形成有栅极结构，位于栅极结构两侧的基底内形成有掺杂区；在栅极结构表面形成保护层，保护层全面覆盖栅极结构的表面并部分暴露掺杂区；在基底上形成介质层，介质层覆盖基底和保护层，...

一种半导体器件及形成方法，形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的厚度为第一厚度，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成支撑层，所述支撑层的熔点大于第一温度阈值；在所述半导体衬底的第二表面形成器...

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层...