沟槽型晶体管及其形成方法技术

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继续沿所述第一沟槽刻蚀所述基底，在所述第一沟槽底部形成所述第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁表面形成隔离层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充栅极。上述方法形成的沟槽型晶体管的性能得到提高。到提高。到提高。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型晶体管及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种沟槽型晶体管及其形成方法。

技术介绍

[0002]SiC沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal
‑
Oxide
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Semiconductor Field
‑
Effect Transistor)通常需要工作在较高的工作电压下，使得栅介质层经常处于高电场的应用环境下，从而大大增加了栅介质层失效的概率。
[0003]虽然增加栅介质层的厚度可以显著提高栅介质层的可靠性，但如果将沟槽内的整个栅介质层加厚，会大大增加沟道的导通电阻，导致器件的导通电阻明显升高，从而使得器件性能降低。
[0004]为了兼顾器件的电参数性能与可靠性，现有技术中，通常只能选择折衷的栅介质层厚度来进行两者的平衡，但是改善有限。
[0005]如何能够实现对沟道区域的栅介质层以及栅极底部与衬底之间的介质层的厚度分别进行调整，是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0006]鉴于此，本申请提供一种沟槽型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继续沿所述第一沟槽刻蚀所述基底，在所述第一沟槽底部形成所述第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁表面形成隔离层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充栅极。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的形成方法包括：在所述基底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀所述基底，形成所述第一沟槽；所述栅介质材料层还覆盖所述掩膜层表面；形成所述第二沟槽后，去除所述掩膜层。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成方法包括：形成覆盖所述第二沟槽内壁表面、所述栅介质层表面的隔离材料层；刻蚀所述隔离材料层，去除位于所述栅介质层表...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏峰，相奇，戴学春，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：