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本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。

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