【技术实现步骤摘要】
本申请涉及功率器件制备领域，特别涉及一种半导体结构的制备方法。
技术介绍
1、碳化硅（sic）是一种第三代半导体材料，禁带宽度是硅（si）的3倍，临界击穿场强是si的10倍，电子饱和漂移速率是si的2倍，热导率是si的3倍，使得sic mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金氧半场效晶体管）器件具有比simosfet器件导通电阻更小、开关电压更高、应用频率更高、温度性能更好的显著性能优势，在新能源、轨道交通和电力电子等领域具有广阔的前景。
2、金属硅化物用于与sic mosfet器件形成欧姆接触（比如在sic mosfet器件的源区形成金属硅化物），能减小接触电阻率并降低整个器件的导通电阻，对金属硅化物结构和工艺的优化研究至关重要。但是现有形成的金属硅化物，存在金属硅化物与sic衬底间显现出了非欧姆接触，从而导致了sic mosfet的导通电阻增大等问题。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述凹槽的内侧壁表面形成第一侧墙包括：在所述凹槽的内侧壁和底部表面以及所述层间介质层的顶部表面形成第一侧墙材料层；采用第一无掩膜刻蚀工艺去除所述凹槽的底部表面以及所述层间介质层的顶部表面的第一侧墙材料层，在所述凹槽的内侧壁表面形成第一侧墙。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一侧墙的表面以及所述金属硅化物的部分表面形成第二侧墙包括：在所述第一侧墙和金属硅化物的表面以及所述层间介质层的顶部表面形成第二侧墙材...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述凹槽的内侧壁表面形成第一侧墙包括：在所述凹槽的内侧壁和底部表面以及所述层间介质层的顶部表面形成第一侧墙材料层；采用第一无掩膜刻蚀工艺去除所述凹槽的底部表面以及所述层间介质层的顶部表面的第一侧墙材料层，在所述凹槽的内侧壁表面形成第一侧墙。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一侧墙的表面以及所述金属硅化物的部分表面形成第二侧墙包括：在所述第一侧墙和金属硅化物的表面以及所述层间介质层的顶部表面形成第二侧墙材料层；采用第二无掩膜刻蚀工艺去除所述金属硅化物的表面以及所述层间介质层的顶部表面的第二侧墙材料层，在所述凹槽的表面形成所述第二侧墙。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料与所述第一侧墙的材料不相同。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一侧墙的之间的所述源区表面形成金属硅化物包括：在所述第一侧墙和所述源区的表面以及所述层间介质层的顶部表面形成金属层；进行退火工艺，使得所述金属层与所述源区表面的材料反应形成金属硅化物层；去除所述未反应的金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱普磊，钟静，冯锐，罗幸君，余家海，梁晓明，马辑，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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