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本申请涉及一种半导体结构的制备方法，在碳化硅衬底上形成栅极材料层和位于栅极材料层上的层间介质层后，图形化层间介质层和栅极材料层，在层间介质层和栅极材料层中形成露出源区表面的凹槽，并形成MOSFET器件的栅极结构；在凹槽的内侧壁表面形成第一侧...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。

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