半导体器件结构及其制备方法技术

本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层内形成埋氧层，再于沟槽的侧壁形成栅氧化层，由于埋氧层的存在，解决了因半导体器件结构沟槽底部角落处电场聚集，导致在半导体器件结构导通期间栅氧化层承受了巨大的电场被击穿的问题，进而提高了半导体器件结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件结构及其制备方法。

技术介绍

1、沟槽型结构的半导体器件结构（譬如，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管等等）受限于沟槽结构的工艺水平以及器件可靠性等问题的影响，例如，在沟槽型半导体器件结构的沟槽底部电场聚集，在半导体器件结构导通期间，栅氧化层因承受了巨大的电场而被击穿，从而导致半导体器件结构失效，这严重影响了沟槽型结构的半导体器件结构的可靠性，同时也提高了器件工艺开发的难度。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种半导体器件结构及其制备方法，解决了因为沟槽型半导体器件结构的沟槽底部电场聚集，在半导体器件结构导通期间栅氧化层承受了巨大的电场被击穿的问题，具有提高半导体器件结构的可靠性以及降低了器件工艺开发的难度的优点。

2、为实现本申请的目的，本申请提供了如下的技术方案：

3、第一方面，本申请提供了一种半导体器件结构的制备方法，包括：

4、提供衬底；

5、于所述衬底的表面形成外延层；

6、于所述外延层内形成埋本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述外延层内形成埋氧层，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述外延层内形成沟槽，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述沟槽的数量为多个；所述埋氧层包括多个间隔排布的埋氧层图案结构；所述沟槽与所述埋氧层图案结构一一对应设置，并暴露出所述埋氧层图案结构。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200℃~1...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述外延层内形成埋氧层，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述外延层内形成沟槽，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述沟槽的数量为多个；所述埋氧层包括多个间隔排布的埋氧层图案结构；所述沟槽与所述埋氧层图案结构一一对应设置，并暴露出所述埋氧层图案结构。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊，莫丽仪，黄秀洪，罗幸君，杨文敏，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：