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本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成外延层；于外延层内形成埋氧层；于外延层内形成沟槽，沟槽暴露出埋氧层；于沟槽的侧壁形成栅氧化层，栅氧化层与埋氧层相接触。本申请通过在外延层内形...
该专利属于广东芯粤能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯粤能半导体有限公司授权不得商用。

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