【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件（metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor，mosfet）是一种应用广泛且性能优越的功率器件，其中，碳化硅（sic）材料因其优良特性，在高功率方面具有强大的吸引力，成为高性能功率mosfet的理想材料之一。sic mosfet器件主要有平面栅结构及沟槽栅结构。
2、相较于平面栅结构，沟槽栅碳化硅（sic）mosfet因沟槽栅结构消除了jfet区域效应，使得电流可以更垂直且直接地经由源极流向漂移区，元胞密度可以做得更高，从而显著降低了单位面积的导通电阻。得益于更高的元胞密度和更短的沟道，其输入电容更小，开关速度更快、损耗更低，能够在相同面积的晶圆上集成更多的器件单元，有效提高晶圆的利用率和芯片密度。
3、然而，沟槽栅sic mosfet具有一定的工艺制造难度，且由于栅氧化层位于沟槽内部，其特殊结构使得栅氧化层容易受到机械应力、电场集中等因素的影...
【技术保护点】
1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面上包括外延层；所述外延层内包括经由顶面沿朝向所述衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区；
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述栅极包括：
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述屏蔽区的宽度大于所述第二级的宽度，小于所述第一级的宽度；
4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一源极的宽度和深度关联于所述功率器件的栅源电容，包括：
5.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述栅极及所述层间介质层在相同工艺步骤中同期制备而成
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【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面上包括外延层；所述外延层内包括经由顶面沿朝向所述衬底的第一方向排列的源区、基区、屏蔽区；
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述栅极包括：
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述屏蔽区的宽度大于所述第二级的宽度，小于所述第一级的宽度；
4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一源极的宽度和深度关联于所述功率器件的栅源电容，包括：
5.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述栅极及所述层间介质层在相同...
【专利技术属性】
技术研发人员：余开庆，曾祥，相奇，彭天智，李恬恬，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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