【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体发光，具体涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、led封装体。
技术介绍
1、在发光晶圆外延片的制备以及切割的工艺中，通常是通过外延工艺形成发光晶圆外延片，接着对发光晶圆外延片进行外观和性能检测，然后在外延片表面贴上一层保护膜，接着按照预设的切割图案和参数进行切割，对于一些切割后尚未完全分离的芯片，需要进行裂片操作，将单个芯片从外延片上分离出来，然后去除芯片表面的保护膜、切割粉尘和其他杂质，保证芯片的清洁度，最后对切割后的芯片进行外观和性能检验，将合格芯片和不合格芯片进行分选，为后续的封装工序提供合格的芯片。如何改善发光晶圆外延片的切割工艺，进而提高相应的发光二极管芯片的出光效率，这引起了人们的广泛关注。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中对的上述问题，本申请提供了一种发光二极管芯片及其制备方法、led封装体。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
3、本申请的实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法，所述发光二极管芯片的制备方法包括
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述外延功能层包括层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体发光晶圆还包括设置在所述半导体发光晶圆背面的背面金属电极层以及设置在所述外延功能层表面的表面电极块阵列。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，每个所述发光二极管芯片包括一个表面电极块和一个背面金属电极。
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【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述发光二极管芯片的制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述外延功能层包括层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述半导体发光晶圆还包括设置在所述半导体发光晶圆背面的背面金属电极层以及设置在所述外延功能层表面的表面电极块阵列。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，每个所述发光二极管芯片包括一个表面电极块和一个背面金属电极。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，进一步包括：对所述发光二极管芯片的侧面进行钝化处理，以形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽的底面和侧壁。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，从所述发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：瞿澄，陈文娟，季佳伟，陈凤，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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