沟槽型晶体管及其形成方法技术

本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，其中沟槽型晶体管包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底表面，所述外延层包括至少一个栅极结构、与至少一个所述栅极结构分别对应的屏蔽区和金属区，所述屏蔽区包裹对应的所述栅极结构的至少一侧，所述金属区位于所述屏蔽区内，所述金属区的部分侧面与所述外延层接触以形成肖特基二极管。本申请能够避免所成沟槽型晶体管的寄生体二极管因承受高电流而产生双极退化效应，出现增大器件导通电阻的问题，提高对应沟槽型晶体管的可靠性。提高对应沟槽型晶体管的可靠性。提高对应沟槽型晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型晶体管及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体涉及一种沟槽型晶体管及其形成方法。

技术介绍

[0002]SBD(肖特基二极管)具有开关速度快、开关损耗低等优点，因此，MOSFET(金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)器件常与其反向并联。在MOSFET器件关断时，SBD能提供电流通路，避免器件的寄生体二极管因承受高电流而产生双极退化效应，增大器件的导通电阻。专利技术人研究发现，MOSFET器件外部反向并联SBD容易引入更多寄生的电容、电感，降低开关速度，使对应器件的可靠性较低。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种沟槽型晶体管及其形成方法，以解决MOSFET器件可靠性低的问题。
[0004]本申请提供一种沟槽型晶体管，包括：
[0005]衬底；
[0006]外延层，所述外延层位于所述衬底表面，所述外延层包括至少一个栅极结构、与至少一个所述栅极结构分别对应的屏蔽区和金属区，所述屏蔽区包裹对应的所述栅极结构的至少一侧，所述金属区位于所述屏蔽区内，所述金属区的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底表面，所述外延层包括至少一个栅极结构、与至少一个所述栅极结构分别对应的屏蔽区和金属区，所述屏蔽区包裹对应的所述栅极结构的至少一侧，所述金属区位于所述屏蔽区内，所述金属区的部分侧面与所述外延层接触以形成肖特基二极管。2.根据权利要求1所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述金属区的一侧壁的底端与所述外延层形成肖特基接触。3.根据权利要求2所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述金属区的其他部分侧壁和底部与所述屏蔽区形成欧姆接触。4.根据权利要求1所述的沟槽型晶体管，其特征在于，相邻的所述栅极结构对应的屏蔽区方位相同；或者相邻的所述栅极结构对应的屏蔽区方位不同。5.根据权利要求1所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述屏蔽区还包裹对应的所述栅极结构的至少部分底部。6.根据权利要求5所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述金属区的深度大于或者等于所述栅极结构的深度。7.根据权利要求1所述的沟槽型晶体管，其特征在于，所述屏蔽区内还设有沟道区；所述沟道区包括第一P
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阱区和第一N+接触区；所述第一P
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阱区与所述栅极结构的部分底部接触，所述第一N+接触区分别与所述栅极结构的部分底部和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，
申请(专利权)人：广东芯粤能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：