一种挠曲电晶体管及信号检测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种挠曲电晶体管及信号检测系统，挠曲电晶体管包括：第一绝缘层、位于第一绝缘层之上的沟道层，以及位于沟道层背离第一绝缘层一侧的第一电极和第二电极。其中第一电极与第二电极之间间隔设定距离形成间隙，通过在挠曲电晶体管的受力位置施加应力以产生应变梯度，从而改变第一电极和第二电极之间的电导率。本发明专利技术利用了挠曲电效应，在对称/非对称半导体中引入应变梯度以诱导产生挠曲电极化电势，从而改变挠曲电晶体管的电导率，可以实现机械信号和电信号的耦合。实现机械信号和电信号的耦合。实现机械信号和电信号的耦合。

【技术实现步骤摘要】
一种挠曲电晶体管及信号检测系统


[0001]本专利技术涉及半导体电子器件
，尤其涉及一种挠曲电晶体管及信号检测系统。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体(Complementary Metal
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Oxide
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Semiconductor，简称CMOS)技术采用金属
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氧化物
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半导体(Metal
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Oxide
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Semiconductor，MOS)结构制作的场效应晶体管，广泛应用于集成电路的制造过程中。传统的MOS管包括源极、漏极和栅极，其中栅极作为门控开关，通过外部电路对栅极施加电压使源极和漏极之间的沟道导通或者关断，从而控制MOS管打开或者关闭。
[0003]尽管环境中的生物运动和物体振动等机械信号无处不在，但基于栅极门控的传统MOS管无法进行机械信号与电信号之间的转换。随着人机交互、物联网和人工智能技术的飞速发展，传统的MOS管已无法满足需要机械信号与电信号交互的特殊场景的使用需求。
>[0004]利用特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种挠曲电晶体管，其特征在于，包括：第一绝缘层；沟道层，位于所述第一绝缘层之上；第一电极，位于所述沟道层背离所述第一绝缘层的一侧，与所述沟道层电连接；第二电极，位于所述沟道层背离所述第一绝缘层的一侧，与所述沟道层电连接；所述第一电极与所述第二电极间隔设定距离形成间隙；所述挠曲电晶体管用于通过在所述挠曲电晶体管的受力位置施加应力以产生应变梯度，从而改变所述第一电极和所述第二电极之间的电导率。2.如权利要求1所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述沟道层的材料为中心对称半导体或者非中心对称半导体；和/或，所述沟道层的厚度介于1nm至500μm之间。3.如权利要求2所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述沟道层的半导体材料为硅、石墨烯、二氧化钛、钛酸锶、氮化硼或二氧化钼。4.如权利要求2所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述沟道层的制备材料包括二维薄膜材料；所述二维薄膜材料为二硫化钼、二碲化钼或氧化锌；和/或，所述二维薄膜材料的厚度为1nm
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300nm。5.如权利要求2～4任一项所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述第一电极为金属电极，所述第一电极与所述沟道层之间为欧姆接触或者为肖特基接触；所述第二电极为金属电极，所述第二电极与所述沟道层之间为欧姆接触或者为肖特基接触。6.如权利要求1～4任一项所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述间隙的宽度为1nm
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10μm。7.如权利要求1～4任一项所述的挠曲电晶体管，其特征在于，还包括：第三电极，位于所述第一绝缘层背离所述沟道层的一侧；所述第一电极和所述第二电极之间的间隙在所述沟道层上的正投影位于所述第三电极在所述沟道层的正投影之内。8.如权利要求1～4任一项所述的挠曲电晶体管，其特征在于，所述受力位置包括：所述挠曲电晶体管的位于所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭迪，翟俊宜，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：发明
国别省市：