半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供能够调整源极电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体部件，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第三电极；多个第四电极；以及第五电极。所述第三电极设置于所述半导体部件内，在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上延伸。所述第四电极与所述第二电极连接，沿着所述第二方向被设置有多个。所述第五电极设置于所述半导体部件内的所述第一电极与所述多个第四电极之间，沿所述第二方向延伸，与所述多个第四电极连接，与所述第一电极分离。述第一电极分离。述第一电极分离。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2021
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146266号(申请日：2021年9月8日)为基础申请的优先权。本申请通过参考此基础申请包括基础申请的所有内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]以往，作为用于开关元件的电力控制用半导体装置，开发出了纵型的MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。在纵型的MOSFET中，在源极电极与漏极电极之间设置有半导体部件，在半导体部件中设置有栅极电极。而且，通过对栅极电极施加规定的电位，来控制半导体部件的导电性，控制在源极电极与漏极电极之间流动的电流。
[0005]在纵型的MOSFET中，为了提高源极电极与漏极电极之间的耐压，有时在半导体部件中形成沟槽，并在沟槽内设置埋入源极电极。在该情况下，源极电极与埋入源极电极之间的源极电阻会对MOSFET本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；半导体部件，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第三电极，设置于所述半导体部件内，并在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上延伸；第四电极，与所述第二电极连接，并沿着所述第二方向被设置有多个；以及第五电极，设置于所述半导体部件内的所述第一电极与所述多个第四电极之间，沿所述第二方向延伸，与所述多个第四电极连接，并与所述第一电极分离。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第四电极的所述第一电极侧的第一端位于比所述第三电极更靠所述第一电极侧的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第四电极包含金属，所述第五电极包含硅。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具备绝缘部件，该绝缘部件至少设置于所述半导体部件与所述第三电极之间、所述第三电极与所述第四电极之间、所述半导体部件与所述第四电极之间、以及所述半导体部件与所述第五电极之间。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，从所述第一方向观察，所述第三电极包围所述多个第四电极中的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场祥太郎，加藤浩朗，下村纱矢，西胁达也，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：