一种SGTMOSFET器件的终端结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SGT MOSFET器件的终端结构及其制造方法，该终端结构包括N型衬底(11)和形成于所述N型衬底(11)上的N型外延层(12)，所述N型外延层(12)包含有终端区，所述终端区内形成用于提升耐压、缩短终端宽度且增加有源区面积降低器件导通电阻的电荷平衡结构，所述电荷平衡结构包括交替分布的P柱和N柱。本发明专利技术提供的终端结构包括相互交替的P柱N柱，形成超结型MOSFET的终端结构，相互交替的P柱N柱构成电荷平衡结构，引入电荷平衡结构，提升了终端的耐压，缩短了终端宽度，增加了有源区面积降低器件导通电阻。积降低器件导通电阻。积降低器件导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种SGT MOSFET器件的终端结构及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，尤其是涉及一种SGT MOSFET器件的终端结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]SGT(Shielded Gate Transistor，屏蔽栅极沟槽)MOSFET是一种新型的功率半导体器件，SGT工艺比普通沟槽更简单，开关损耗更小。此外，SGT比普通沟槽工艺深3
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5倍，可以使用更多的外延体积来阻挡电压，这也使得SGT的内阻比普通MOSFET低2倍以上。
[0003]SGT MOSFET跟传统沟槽MOSFET相比，新增的源多晶硅带来了电荷耦合效应，在原来垂直耗尽的基础上增加了水平耗尽，使得器件耐压得到了极大的提升。
[0004]常规的N沟道SGT(Split
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Gate
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Trench,分裂栅极沟槽)MOSFET的终端结构如图1所示，终端耐压槽里的多晶硅跟源极金属等电位，这样才能在终端处引入电荷耦合技术，提升器件的终端耐压。虽然这样的结构能够有效提高终端耐压，但对于中压120V～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，该终端结构包括N型衬底(11)和形成于所述N型衬底(11)上的N型外延层(12)，所述N型外延层(12)包含有终端区，所述终端区内形成用于提升耐压、缩短终端宽度且增加有源区面积降低器件导通电阻的电荷平衡结构，所述电荷平衡结构包括交替分布的P柱和N柱。2.根据权利要求1所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述电荷平衡结构以P柱作为起始柱，按照P柱、N柱的形式交替，以N柱作为结束柱。3.根据权利要求1所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述N型外延层(12)还包含有原胞区和截止槽区；所述原胞区、所述终端区和所述截止槽区分别形成有ILD介质层(2)，并开设有接触孔；源极金属层(1)跨所述原胞区和所述终端区，截止槽金属(4)跨所述终端区和所述截止槽区，源极金属层(1)和所述截止槽金属(4)分别与所述ILD介质层(2)贴合；位于所述终端区的ILD介质层(2)上布设有栅极金属走线(3)。4.根据权利要求3所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述电荷平衡结构包括交替分布的P柱和N柱，靠所述原胞区以P柱作为起始柱，按照P柱、N柱的形式交替，以N柱作为结束柱。5.根据权利要求3所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述原胞区包含沟槽，于所述沟槽内布设栅多晶硅(5)和源多晶硅(7)，所述栅多晶硅(5)和所述源多晶硅(7)之间为IPO氧化层(6)，所述栅多晶硅(5)外周形成栅氧(8)，所述源多晶硅(7)外周形成场氧(10)；P阱区(9)位于所述原胞区和所述终端区之间。6.根据权利要求5所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述源多晶硅(7)所占沟槽深度大于所述栅多晶硅(5)所占沟槽深度。7.根据权利要求3所述的SGT MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述截止槽区包含截止槽。8.一种SGT MOSFET器件的终端结构制造方法，其特征在于，该方法用于制造的SGT MOSFET器件的终端结构包括N型衬底(11)和形成于所述N型衬底(11)上的N型外延层(12)，所述N型外延层(12)包含有终...

【专利技术属性】
技术研发人员：田甜，张伟，张小兵，廖光朝，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：