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本发明公开了一种SGT MOSFET器件的终端结构及其制造方法，该终端结构包括N型衬底(11)和形成于所述N型衬底(11)上的N型外延层(12)，所述N型外延层(12)包含有终端区，所述终端区内形成用于提升耐压、缩短终端宽度且增加有源区面积...
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