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本发明公开了一种挠曲电晶体管及信号检测系统，挠曲电晶体管包括：第一绝缘层、位于第一绝缘层之上的沟道层，以及位于沟道层背离第一绝缘层一侧的第一电极和第二电极。其中第一电极与第二电极之间间隔设定距离形成间隙，通过在挠曲电晶体管的受力位置施加应力...
该专利属于北京纳米能源与系统研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京纳米能源与系统研究所授权不得商用。

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