本发明提供一种新型等离子体检测分析装置，包括离子抽取模块、瞬时采样模块、聚焦模块、四极杆区和信号收集模块，离子抽取模块连接于离子源，瞬时采样模块连接于离子抽取模块，聚焦模块连接于瞬时采样模块，四极杆区连接于聚焦模块，四极杆区包括两组电极...

本技术涉及工业自动化生产固定技术领域，公开了一种混凝土跳仓用浇筑装置，包括底板，所述底板的顶部右侧固定连接有搅拌仓，所述搅拌仓的顶部固定连接有锥形漏斗，所述搅拌仓的顶部固定连接有电机，所述搅拌仓的顶部固定连接有安装架，所述电机的输出端贯...

本技术涉及建筑施工技术领域，公开了一种混凝土地面跳仓缝用工具式模板固定装置，包括U形板和长形模板，所述U形板的内侧顶部均固定连接有多个T形柱，所述长形模板的底部均开设有多个圆孔，多个所述圆孔的内部分别与对应的T形柱的外壁相卡合，所述长形...

本技术涉及污水处理设备领域，公开了一种絮凝剂污水环保处理设备，包括箱体，所述箱体的顶部固定连接有下料箱，所述下料箱的顶部固定连接有下料斗，所述下料箱的中部滑动连接有两个隔板，两个所述隔板相对的一侧均固定连接有驱动组件，所述箱体的前侧固定...

本技术涉及工业循环水处理技术领域，公开了一种工业循环水的高效处理设备，包括底座，所述底座的内部固定连接有搅拌桶，所述搅拌桶的内部下侧固定连接有支撑架，所述支撑架的顶端转动连接有连接轴，所述连接轴的顶端固定连接有搅拌杆，所述搅拌杆的顶端固...

本实用新型公开了一种压差稳定型半导体制造无尘室，属于半导体制造技术领域，包括框体，所述所框体前端设置有垂帘，述框体一端设置有防静电围帘，所述框体另一端设置有玻璃门，所述框体后端设置有背板，本实用新型通过设置干燥组件，排风机工作对无尘室内...

本实用新型公开了厂房洁净室用节能新风系统，属于洁净室技术领域，包括机箱组件，所述机箱组件的一侧设置有新风进气组件，所述新风进气组件的外侧设置有消毒装置，所述机箱组件与消毒装置之间通过除潮装置进行连接；本实用新型通过设置消毒装置，使得系统...

本实用新型公开了一种半导体研磨液供给装置，属于研磨设备技术领域，包括外箱体，所述外箱体的上端设置有散热组件；所述散热组件包括电机一、转动辊二、散热风扇二、传送带、水冷散热组件、散热风扇一和转动辊一，其中，所述外箱体的上端设置有电机一，所...

本实用新型公开了一种半导体超纯水系统，属于超纯水处理技术领域，包括处理箱，所述处理箱的上端一侧设置有入液口，所述处理箱上端远离入液口的一侧设置有盖板，所述处理箱的内部一侧设置有过滤板，所述处理箱的下端设置有储水箱，所述储水箱的一端设置有...

本实用新型公开了一种半导体厂房抗微震结构，属于房屋抗震技术领域，包括底板，所述底板上贯穿设置有若干螺纹杆，所述螺纹杆的下端设置有第一支撑竖杆，所述第一支撑竖杆的下端设置有第二支撑竖杆，所述底板的上端两侧设置有若干竖梁，两个所述竖梁之间上...

本实用新型公开了一种半导体冰机冷却水杀菌去藻处理装置，属于杀菌消毒技术领域，包括储料仓，所述储料仓的底部设置有传动组件，所述储料仓的侧面安装有定位框，所述定位框的内部嵌有盖板，所述盖板的内部设置有卡接组件，本实用新型通过设置传动组件使电...

本实用新型公开了一种半导体洁净室节能空调系统，属于半导体洁净室技术领域，包括机体，所述机体的一侧安装有出风口，所述机体远离出风口的一侧设置有进风口，所述机体与进风口之间通过杀菌装置进行连接；所述杀菌装置包括透明罩、杀菌灯和固定框；本实用...

本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(...

本发明提出了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及插设在衬底上的栅极；栅极侧壁覆盖有间隔层，间隔层位于衬底上方的部分覆盖有第一接触蚀刻终止层；栅极顶面上蚀刻形成有第一凹槽，第一凹槽中填充形成有SAC头部；衬底位于栅极之间的部...

本发明提出了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1、提供带有鳍片(10)的硅衬底(1)，并通过光刻技术在鳍片(10)顶部开设凹槽(11)；步骤S2、将介电材料填入凹槽(11)到一定高度，以形成STI结构...

本发明提出了一种晶圆片处理装置及其送气装置、晶圆片处理方法。送气装置包括：卡盘(10)，该卡盘(10)内部形成有多个气体通道(11)，每个气体通道(11)在卡盘(10)顶面形成有气孔(12)；多个柱脚(20)；所述多个柱脚(20)分别安...

本发明公开了一种FinFET制造方法，包括：采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；对上述图形化的结构进行蚀刻，在与多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个鳍片上方形成有第一氧化层、硬掩...

本发明涉及一种凹陷结构的刻蚀方法，包括步骤S1、对基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构；步骤S2、采用沉积材料在所述第一刻蚀结构的侧壁和底部上形成沉积层；步骤S3、破坏所述第一刻蚀结构的底部的所述沉积层；步骤S4、在所述第一刻蚀结构的底...

一种精准制备鳍式结构深度精度达到小于+/-0.5nm的自动制程控制方法，包括以下步骤：1)进行浅沟槽隔离回蚀并执行第一次自动制程控制(APC-1)；2)用硫酸加双氧水进行清洗；3)移去氮化硅硬式罩幕；4)量测蚀刻深度并将量测值回馈给浅沟...

本发明公开了用于互连结构的阻挡层，设置在互连结构的金属互连材料与电介质层之间，阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层环绕在金属互连材料外层，第二阻挡层环绕在第一阻挡层外侧。本发明提供的阻挡层，包括两层由原子层沉淀形成的阻挡层，通过...