精准制备鳍式结构深度的自动制程控制方法技术

一种精准制备鳍式结构深度精度达到小于+/-0.5nm的自动制程控制方法，包括以下步骤：1)进行浅沟槽隔离回蚀并执行第一次自动制程控制(APC-1)；2)用硫酸加双氧水进行清洗；3)移去氮化硅硬式罩幕；4)量测蚀刻深度并将量测值回馈给浅沟槽隔离回蚀；5)进行第一次鳍式结构深度蚀刻並执行第二次自动制程控制(APC-2)；6)量测蚀刻深度并将量测值回馈给第一次鳍式结构深度蚀刻；7)进行第二次鳍式结构深度蚀刻並执行第三次自动制程控制(APC-3)；8)量测蚀刻深度并将量测值回馈给第二次鳍式结构深度蚀刻。这种方法鳍式结构深度控制精度可由+/-1.5nm改善到小于+/-0.5nm。0.5nm。0.5nm。

【技术实现步骤摘要】
精准制备鳍式结构深度的自动制程控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体技术，具体涉及一种精准制鳍式场效晶体管鳍式结构深度的自动过程控制方法。

技术介绍

[0002]如图1所示,传统平面式结构晶体管的通道结构是二维结构,通道结构由通道长度及通道宽度组成,如图1(a)所示,平面式结构晶体管的通道宽度是单一面向；鳍式场效晶体管(FinFET)的通道结构则是三维结构,如图1(b)所示,通道宽度是由三个面向组成,分成一个鳍式结构头度面相及两个鳍式结构高度(Fin height)面相,其中鳍式结构是鳍式场效晶体管特有的结构,控制鳍式结构高度(深度)的方法则是利用鳍式结构深度蚀刻(Fin recess)制程工艺达成,因为鳍式结构深度蚀刻攸关鳍式结构高度及最终影响通道宽度,因此制程工艺上更着重于要求鳍式结构深度蚀刻的精准控制。因鳍式结构深度蚀刻强相关于鳍式结构高度,在控制深度时,现有技术为单一步蚀刻步骤且没有蚀刻停止层可供参考来控制深度，因此，鳍式结构深度控制的精度不甚理想。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决技术问题在于，针对现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精准制备鳍式结构深度的自动制程控制方法，其特征在于，在鳍式结构深度控制到小于+/-0.5nm；微笑曲线深度小于1.0nm；制程末端的微笑曲线小于6.0nm,所述自动制程方法包括以下步骤：S1)在半导体制程浅沟槽隔离结构流程中,完成至二氧化硅化学机械研磨步骤；S2)進行浅沟槽隔离回蚀，其中，蚀刻参数修正则是参考前批第一次自动制程控制(APC-1)的深度量测数值；S3用硫酸加双氧水进行SPM芯片清洗；S4)去除氮化硅硬式罩幕；S5)量测蚀刻深度并执行第一次自动制程控制(APC-1)，将量测值回馈给S2)浅沟槽隔离回蚀；S6)进行第一次鳍式结构深度蚀刻，其中，蚀刻参数修正则是参考前批第二次自动制程控制(APC-2)的深度量测数值；S7)量测蚀刻深度并並执行第二次自动制程控制(APC-2)，将量测值回馈给S6)进行的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，
申请(专利权)人：广东汉岂工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：