一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到...

本发明提出了一种FinFET器件及其成型方法。FinFET器件的成型方法包括以下步骤：步骤S1、采用半导体材料形成衬底(100)；步骤S2、通过蚀刻衬底(100)，形成多个鳍片(200)；其中，鳍片(200)具有多种形状；步骤S3、形成...

本发明提出了一种基于BEOL工艺的集成电路结构及其形成方法；集成电路结构包括LOW‑K介电层(100)、覆盖在LOW‑K介电层(100)底面的第一覆盖层(200)以及布置在第一覆盖层(200)底面的多条铜线(300)；集成电路结构上开设...

本发明提出了一种MIM电容器及其制造方法，MIM电容器包括CBM电极(300)、CTM电极(100)以及设置在CBM电极(300)、CTM电极(100)之间的第一介电层(200)；MIM电容器还包括第二介电层(600)以及设置在第二介电...

本发明提出了一种半导体器件及其制程方法。半导体器件包括硅基板(100)，多个磊晶(110)，邻近两个磊晶(110)之间形成的沟道(120)，栅极堆叠件(200)，栅极间隔件(300)，介电层(500)；还包括：贯穿介电层(500)、栅极...

本发明提出了一种半导体结构及其制程方法；半导体结构包括硅基板(100)，硅基板(100)上形成有多个磊晶(110)，邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；半导体结构还包括位于沟道(120)内的栅极堆叠件(200)，环绕栅极堆叠...

本发明公开了一种蚀刻和沉积的先进控制方法和装置，方法包括以下步骤：制备可独立控制气流分布的气流分配板；在所述气流分配板上阵列排布多个独立的微型气流喷嘴，在每个微型气流喷嘴内设置一个独立气道以及控制该气道通断/流量流速的电控开/关，还包括...

本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成包含第一半导体材料的NMOS器件区和包含第二半导体材料的PMOS器件区，其中，第一半导体材料为SiP，第二半导体材料为SiGe；形成包括第一鳍状件和第二鳍状件的鳍结构，其中...

本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；形...

本实用新型公开了一种电机抗震铸铝端盖的密封结构，包括铸铝端盖、轴承室、环形凹腔、减震橡胶圈、螺栓沉孔、密封套、环形凹槽和密封圈，轴承室外侧设置有环形凹腔，环形凹腔内设置有减震橡胶圈，环形凹腔的形状与减震橡胶圈的形状一致，铸铝端盖外圈上设...

本实用新型涉及新能源技术领域，且公开了一种便于固定的新能源电路板，包括绝缘壳，所述绝缘壳内腔的中部固定安装有电路中控板，所述绝缘壳内腔的两侧均固定安装有方块，所述绝缘壳的两侧均螺纹套接有长杆，所述长杆的一端贯穿绝缘壳并延伸至绝缘壳的外部...

本实用新型公开了一种电路板加工用夹持装置，包括底板，所述底板顶部的中心处固定连接有升降杆，所述升降杆的右侧设置有调节旋钮，所述升降杆的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板顶部表面的两侧均开设有活动槽，所述活动槽内腔底部的中心处滑动连接有支撑...

本实用新型公开了一种电机防尘铸铝端盖，包括铸铝端盖、安装座、进气孔、防水透气膜、支撑块和防尘罩，铸铝端盖外侧沿圆周向均匀设置有多个安装座，安装座上设置有安装孔，安装孔内侧设置有内螺纹，铸铝端盖中部设置有轴承孔，铸铝端盖上位于轴承孔外侧设...

本实用新型公开一种加固型柔性电路板，包括电路板本体，所述电路板本体的底部相互对称设有两组加强板，所述电路板本体和加强板的内部均开设有相互匹配的通孔，所述电路板本体的内部靠近通孔的一端垂直设有插接孔，两组所述加强板的外部均通过锁紧机构贯穿...

本实用新型公开了一种无刷直流电机，其结构包括通孔、安装座、连接件、桁架、连接板、侧挡板、凹槽、盖板、夹线器、固定板、支撑平台，支撑平台与侧挡板为一体化结构，通孔嵌入安装于安装座中，安装座与连接板为一体化结构，本实用新型一种无刷直流电机，...