FinFET器件的鳍片制作方法技术

一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明专利技术的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
FinFET器件的鳍片制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种FinFET器件的鳍片制作方法。

技术介绍

[0002]鳍片刻蚀是FinFET制造过程中的一个常规步骤。鳍片轮廓是蚀刻后形成的，具体通过采用包括芯材蚀刻、间隔蚀刻和芯材去除技术的自对准双模(SADP)工艺形成，如图1所示。在现有技术中，鳍片的形状和宽度难以调整，鳍片的底座不够宽，经过FCVD后的收缩加工，鳍片容易在鳍片切割区域附近弯曲，如图2-图3中方框所围部分所示。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对上述技术问题，提出了一种FinFET器件的鳍片制作方法。
[0004]本专利技术所提出的技术方案如下：
[0005]本专利技术提出了一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：
[0006]步骤S1、在半导体衬底上蚀刻出蚀刻槽，以使邻近两个蚀刻槽之间形成鳍片；
[0007]步骤S2、在蚀刻槽中施布ODL，以使ODL达到鳍片的一定高度；
[0008]步骤S3、采用氟基团对鳍片的位于ODL上方的部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FinFET器件的鳍片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。2.根据权利要求1所述的鳍片制作方法，其特征在于，在步骤S3中，采用氟基团或氯基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀。3.根据权利要求2所述的鳍片制作方法，其特征在于，在步骤S3中，采用CF4对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀。4.一种FinFET器件的鳍片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(20...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴成奇，
申请(专利权)人：广东汉岂工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：