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一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片...
该专利属于广东汉岂工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东汉岂工业技术研发有限公司授权不得商用。

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