一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及插设在衬底上的栅极；栅极侧壁覆盖有间隔层，间隔层位于衬底上方的部分覆盖有第一接触蚀刻终止层；栅极顶面上蚀刻形成有第一凹槽，第一凹槽中填充形成有SAC头部；衬底位于栅极之间的部分覆盖有第二接触蚀刻终止层；第二接触蚀刻终止层上覆盖有第一层间介电层；第一层间介电层顶面上并在第一接触蚀刻终止层侧壁上形成有SAC副间隔体；半导体结构还包括接触部件；该接触部件与衬底相接触，完全覆盖SAC副间隔体顶面，并覆盖SAC头部顶面的部分或全部。本发明专利技术的半导体结构及其制造方法设计新颖，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]为了达到缩小芯片尺寸的目的，传统半导体制程会采用SAC(Self-Aligned Contact，自对准接触)制程。如图1-图2所示，图1示出了一种现有半导体结构的SAC制程的预接触步骤的状态示意图；图2示出了图1所示的SAC制程的接触步骤的状态示意图。接触部件在与SAC头部接触过程中，会造成SAC头部一定的损坏。接触部件与SAC头部在水平方向的接触尺寸x与SAC头部在竖直方向的损坏程度y成反比，如图3所示。因此，需要研发一种提高接触部件与SAC头部在水平方向的接触尺寸的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对上述技术问题，提出一种半导体结构及其制造方法。
[0004]本专利技术解决其技术问题的技术方案是：
[0005]本专利技术提出了一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：
[0006]步骤S1、提供基础结构；该基础结构包括衬底以及插设在衬底上的栅极；基础结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供基础结构(100)；该基础结构(100)包括衬底(110)以及插设在衬底(110)上的栅极(120)；基础结构(100)还包括覆盖在栅极(120)侧壁上的间隔层(130)、覆盖在间隔层(130)位于衬底(110)上方的部分上的第一接触蚀刻终止层(140)、覆盖在衬底(110)位于栅极(120)之间的部分上的第二接触蚀刻终止层(150)以及覆盖在第二接触蚀刻终止层(150)上的第一层间介电层(160)；第一层间介电层(160)顶面与栅极(120)顶面平齐；步骤S2、在栅极(120)顶面上蚀刻形成第一凹槽(210)，在第一凹槽(210)中填充形成SAC头部(220)；在第一层间介电层(160)顶面上蚀刻形成第二凹槽(230)；在第二凹槽(230)中并在第一接触蚀刻终止层(140)侧壁上形成SAC副间隔体(240)；然后形成第二层间介电层(250)，以使该第二层间介电层(250)覆盖SAC头部(220)、间隔层(130)、第一接触蚀刻终止层(140)、SAC副间隔体(240)以及第一层间介电层(160)；步骤S3、从第二层间介电层(250)顶面上蚀刻出第三凹槽(300)，使得衬底(110)位于栅极(120)之间的部分、SAC头部(220)顶面以及SAC副间隔体(240)暴露出来；然后在第三凹槽(300)中填充金属，以形成接触部件(400)。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在步骤S2中，在第二凹槽(230)中并在第一接触蚀刻终止层(140)侧壁上形成SAC副间隔体(240)的步骤包括：沉积形成SAC副层(260)，以使SAC副层(260)覆盖SAC头部(220)、间隔层(130)、第一接触蚀刻终止层(14...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，林盈志，蔡尚元，苏廷锜，
申请(专利权)人：广东汉岂工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：