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本发明提出了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及插设在衬底上的栅极；栅极侧壁覆盖有间隔层，间隔层位于衬底上方的部分覆盖有第一接触蚀刻终止层；栅极顶面上蚀刻形成有第一凹槽，第一凹槽中填充形成有SAC头部；衬底位于栅极之间的部分覆...
该专利属于广东汉岂工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东汉岂工业技术研发有限公司授权不得商用。

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