富士通株式会社专利技术

富士通株式会社共有10017项专利

  • 一种时钟转换装置,其中时钟转换次序根据一个表示输入时钟选择信号的清除时钟信号的变化保持在转换/保持电路中,一个参考时钟信号根据基于转换次序的转换之前和之后的输入时钟源信号(3个信号中的2个信号)生成在参考时钟发生器中,一个时钟选择信号通...
  • 公开了一种用于非接触型IC卡的半导体集成电路,其装有用于整流接收到的信号并从而产生电源电压的整流电路。连接到电源电压和地之间并用于控制分流电阻的分流调节器。控制电路按如下所述来控制分流调节器;当电源电压高于基准电压范围的上限时,分流电阻...
  • 检测串接的多个电池或电压源的单个电压和多个电池或电压源两端上的电压。通过算术运算检测的电压确定差分放大器的补偿值。如此确定的补偿值被用于校正电池电压的测量值。
  • 一种用于产生脉冲信号的设备包括:至少一个存储波形数据的第一寄存器;根据第一寄存器的波形数据产生脉冲信号的脉冲信号发生单元;连接到总线并由来自该总线的控制信号所控制的控制单元;以及与该总线相分离和独立并且连接到该控制单元的信号线,其中该控...
  • 提供了一种能够抵消在差分放大电路的一对差分输出信号间产生的DC偏移电压,同时防止由于AC分量的累积而引起的信号波形的失真的DC偏移补偿电路,以及一种通过抵消DC偏移电压,能够产生精确再现光学脉冲信号的上升计时和下降计时的电脉冲信号的光电...
  • 提供了对参考时钟(Cb)进行计数的频率测量单元(10,21,K0)。频率测量单元在相互移位的周期内对参考时钟进行计数。设置加法器(14)来把频率测量单元的计数相加。通过把在移位的周期内测得的计数值这样相加,高精度的频率测量是可能的,而且...
  • 一种电压产生单元,其中包括串联在第一和第二电源线之间的第一电阻和第一晶体管。由于第一晶体管的栅极总是被提供比其漏极电压更高的电压,因此与现有技术相比,第一节点的第一电压更缓慢地上升。启动信号产生单元根据第一电压,在把第二电阻与第二晶体管...
  • 在本发明的半导体集成电路中,逻辑电路块的多个电源端点通过漏电流截止电路被连接到实际电源线。当逻辑电路块要被激活时,延迟控制电路控制漏电流截止电路,把电源端点以事先确定的时间延迟连接到实际电源线。因而,当逻辑电路块被激活时,实际电源线的电...
  • 一种输入/输出缓冲器,就从外部装置提供的电压信号对电路进行保护。该输入/输出缓冲器包括基准电能产生电路(16),连接到高压电源及低压电源,以便转换外部电压信号的电压,并产生基准电能。该基准电能产生电路具有保护电路(17),包括多个MOS...
  • 一种半导体集成电路器件,其具有第一导电类型的第一MIS晶体管、第二导电类型的第二MIS晶体管、和串联在第一电源线和第二电源线之间的电阻器,该半导体集成电路器件包括: 第一导电类型的第三MIS晶体管,其栅极连接在一个把所述第一MIS...
  • 半导体器件一种具有初始化功能的半导体器件。启动信号产生电路根据输入电源电压输出对该内部电路进行初始化的启动信号。锁存电路保持和输出该启动信号。切断电路在该启动信号被输出时,切断输入到该启动信号产生电路的电源电压。也就是说,根据该电源电压...
  • 提供了一种能够抵消在差分放大电路的一对差分输出信号间产生的DC偏移电压,同时防止由于AC分量的累积而引起的信号波形的失真的DC偏移补偿电路,以及一种通过抵消DC偏移电压,能够产生精确再现光学脉冲信号的上升计时和下降计时的电脉冲信号的光电...
  • 提供了一种能够抵消在差分放大电路的一对差分输出信号间产生的DC偏移电压,同时防止由于AC分量的累积而引起的信号波形的失真的DC偏移补偿电路,以及一种通过抵消DC偏移电压,能够产生精确再现光学脉冲信号的上升计时和下降计时的电脉冲信号的光电...
  • 本发明提供一种压电元件及利用该压电元件的触摸屏。压电元件包括一衬底、一在衬底上的下电极,一在下电极上的压电层、及一在压电层上的上电极。上电极包括一共用基部和多个自基部延伸的平行分支。分支以正则区间或间距λ排列。下电极通过压电层面向上电极...
  • 一种集成电路的开发方法,其仅利用作为电路结构研究结果,作为逻辑设计文件的一部分的块端口规格的连接信息,生成一种所谓逻辑磁芯的网表,构成该逻辑磁芯的网用于连结不依存于器件技术的块的端口和端口之间,从逻辑磁芯中选择对象块,进行组合,使用组合...
  • 本发明提供一种用于从低电压区域向高电压区域转换信号的方法,包括:接收处于低电压区域中的输入信号,以及使用该输入信号,控制具有第一载流子类型的第一晶体管,具有不同于第一载流子类型的第二载流子的第二晶体管,以及具有第二载流子类型的第三晶体管...
  • 一种半导体装置,当把具有第1电源电压(VDD1)的振幅的输入信号(IN)输入到以比第1电源电压高的第2电源电压(VDD2)而动作的PMOS晶体管(PM51)的栅极端子时,在PMOS晶体管(PM1)至(PM4)进行电平转换。PMOS晶体管...
  • 本发明提供一种非易失性半导体存储装置。该非易失性半导体存储装置的特征在于,包括:存储数据的存储单元;第1参照单元;检查电路,检查第1参照单元的阈值;和擦除电路,当检查电路检测出第1参照单元的阈值小于或约等于规定的固定值时,对其响应,擦除...
  • 半导体集成电路。高阈值的第一导电晶体管和低阈值的第二导电晶体管串联在提供电源电压的第一实际电源线和与由低阈值的晶体管组成的电路块的电源引脚相连接的虚拟电源线之间。该第一和第二导电晶体管的极性彼此相反。电源控制电路在电路块工作时导通第一和...
  • 本发明涉及一种电子设备的节电控制方法及装置、以及节电型电子设备,无需节电控制用的专用MPU,利用简单的结构可以进行节电控制,大幅度降低待机时的电力消耗。该装置设有即使开关电路(11)断开仍从电源被供应给电流而进行动作的门闩电路(15),...