本发明公开了一种复位电路，所述复位电路包括电源检测电路、断电检测电路和输出电路。电源检测电路在上电和断电期间，当根据电源电压的第一电压高于第一阈值时输出第一信号，并且当第一电压低于第一阈值时输出第二信号。断电检测电路在断电期间，在第二信...

本发明提供了一种半导体集成电路。在该半导体集成电路中，每对第二晶体管的栅极分别接收上升沿和下降沿彼此相邻的一对延迟定时信号，并将预充电到第一电源电压的第一节点处的电荷逐渐放电。放电速度依赖于晶体管的阈值电压、工作温度和电源电压而变化。多...

本发明公开了一种使用半加功能的分频器，包括：每个数位一个的具有半加功能的锁存器电路，各锁存器电路在其Ｓ输入处接收其输出信号（Ｓｏｕｔ），用于最低有效位的锁存器电路（７６）在其进位输入处接收“１”，而各个其它锁存器电路在其进位输入处接收来...

输入保护电路。提供了一种能够控制上拉／下拉的有效／无效，而不会使特性劣化的输入保护电路，该输入保护电路包括连接在外部输入端和与内部电路相连的缓冲电路之间的输入保护电阻；一端与电源相连、另一端与位于外部输入端和输入保护电阻之间的一点相连的...

一种用于连接到电源（ＶＤＤ）和输入垫（１）的容差输入电路（２００；３００；４００；５００），该容差输入电路包括输入电路（２）以及连接在所述输入垫和所述输入电路之间的降压设备，该降压设备包括第一Ｎ沟道ＭＯＳ晶体管（Ｔｒ３），所述降压设备的...

本发明提供一种可重构电路，该可重构电路包括：网络电路，其用于控制算术单元组中的输出端子与输入端子之间的连接；和第一选择器，其连接在所述算术单元组与所述网络电路之间。当第一控制信号处于第一状态时，所述第一选择器将所述算术单元组的第一端子连...

本发明提供了一种半导体装置，其具有多个功能块和向多个功能块中要操作的功能块供给选择信号的选择信号生成电路。功能块内的时钟生成单元被供给选择信号和系统时钟，在被供给了选择信号的期间生成基于系统时钟的控制时钟，而在没有被供给选择信号的期间停...

在一个实施例中，一种电路包括：经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块；第一电路块和第一休眠晶体管之间的虚拟地节点；经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块；第二电路块和第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点。该电路还包括传输门（ＴＧ）或分流晶...

本发明提供用于高速数字传送的低电压差分信号驱动器。该低电压差分信号驱动器包括至少两个可以进行操作以对信号进行驱动的可编程指部、以及至少两个前置驱动器。各个前置驱动器与一个或更多个可编程指部相关联，并且可以进行操作以使能或禁用相关联的一个...

一种分频电路，该分频电路具有主电路和从电路，所述主电路和所述从电路的至少一个中的负载部分被构造成提供随着频率的增加而减小的阻抗。

本发明提供一种脉冲生成器，包括：能够得到具有较小半值宽度和较大振幅的脉冲的非线性传输线，其中多个具有单位线单元和二极管的传输线单元被串联连接；连接到非线性传输线的传输端的脉冲生成器；以及连接到非线性传输线的接收端的偏压相关元件，其中传输...

提供一种既确保ＬＳＩ电路整体的高速动作又提高抗软错误能力的半导体器件以及实现此半导体电路器件的设计方法的ＣＡＤ装置。本发明的ＣＡＤ装置，其特征在于，具有：确定ＬＳＩ电路的各信号传输电路所具有的信号传输时间的单元；确定在各信号传输电路所具...

本发明提供了一种半导体器件，其包括：被提供第一电源电压的第一电源线；被提供第二电源电压的第二电源线；电连接到内部电路的第三电源线；第一开关，其被配置来电连接或者断开第一电源线和第三电源线；第二开关，其被配置来电连接或者断开第二电源线和第...

一种电子元件包括基底材料、电容器单元和布线部分。该电容器单元具有包括第一电极部分、第二电极部分和电介质部分的堆叠结构，其中该第一电极部分设置在该基底材料上，该第二电极部分包括面向该第一电极部分的第一表面和与该第一表面相对的第二表面，该电...

一种表面声波（ＳＡＷ）谐振装置包括一个在压电基片上形成的ＳＡＷ谐振器，该谐振器包括形为梳子状的激励电极和排列在激励电极两侧的反射器，至少还包括一个在压电基片上形成的并与激励电极电连接的电容器。依照电容器与ＳＡＷ谐振器连接方式，该电容器的...

利用单个的并联谐振器－它具有其面积等于设置成梯形的多个相继并联谐振器的驱动电极面积之和的驱动电极，与串联谐振器一起构成表面声波滤波器元件，以构成表面声波谐振器。另外，在通过对该表面声波滤波器元件进行封装而制成的表面声波滤波器中，滤波器元...

一种滤波器装置包括设置在一个封装组件中的至少两个滤波器元件（２１、２２），每个滤波器元件仅通过在预定频段内的信号，滤波器元件的预定频段具有彼此不同的中心频率（ｆ↓［１］、ｆ↓［２］）。一个输入端（Ｔ１）连接到滤波器元件的各自的输入端和由...

本发明涉及适用于高频电路的声表面波器件，它包括：声表面波部件、陶瓷封装、以及金属帽。封装具有多层结构的陶瓷衬底，衬底上有模片固定部分，声表面波部件就安装在模片固定部分上。所述封装还具有与声表面波部件相连接的输入端与输出端，以及位于所述衬...

声表面波（ＳＡＷ）装置，它包括形成在共同的压电基片（１）上且相互级联的至少第一与第二ＳＡＷ元件（１１，２１），此第一与第二ＳＡＷ元件中的每一个包括多个叉指式电极（１１Ａ－１１Ｃ；２１Ａ－２１Ｃ），它们各有多个电极指在此压电基片上对应于Ｓ...

表面声波（ＳＡＷ）器件，包括单晶ＬｉＴａＯ↓［３］压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Ａ１主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的０．０３－０．１５倍。压电衬底由其Ｙ轴朝其Ｚ轴绕其Ｘ轴定向旋转，旋转角范围是３８°...