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富士通株式会社专利技术
富士通株式会社共有10017项专利
声表面波器件制造技术
声表面波器件包括LiTaO↓[3]单晶的压电衬底,具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅,一排叉指式换能器介于反射栅之间,具...
分离发送波和接收波的装置和带有该装置的无线通信设备制造方法及图纸
分离装置有一个发送滤波器和一个接收滤波器。发送滤波器和接收滤波器各自包括一个可变电容二极管和一个谐振元件,并构成一个带抑制滤波器。发送和接收滤波器的各自的抑制带可以通过改变各自的可变电容二极管的电容值调整。调整发送滤波器的抑制带,以便与...
具有通带外改进抑制的表面声波滤波器制造技术
一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130),该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上,而第二指状电极对接地到一...
表面声波器件制造技术
提供一种反射表面声波的表面声波器件。该表面声波器件的反射器包括电极指。电极指以预定间隔d设置,按宽度分成五组。电极指的宽度在宽度W1、W2和W3间变化,以便反射率变得与汉明函数类似。
改进通带特性和调节输入输出阻抗自由度的声表面波装置制造方法及图纸
一种SAW装置,此装置包括:上面支承着压电基片的封装体;在此压电基片上形成的至少一个SAW元件;所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极,每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极;将所述输入侧叉指式...
电子元件制造技术
一种电子元件,包括衬底、电容器以及布线。电容器具有多层结构,该多层结构包括:设置在衬底上的第一电极膜、厚度为2μm到4μm且被设置成面对第一电极膜的第二电极膜、以及置于第一与第二电极膜之间的电介质膜。布线包括结合部分,该结合部分连接到第...
电子元件制造技术
一种电子元件,包括衬底以及位于该衬底上的电容器单元。该电容器单元具有层叠结构,该层叠结构包括设置在该衬底上的第一电极层、与该第一电极层相对的第二电极层以及位于该第一电极层与该第二电极层之间的电介质层。该第一电极层具有多层结构,该多层结构...
可变滤波器元件、可变滤波器模块及其制造方法技术
本发明提供一种适用于降低驱动电压的可变滤波器元件和可变滤波器模块。该可变滤波器元件包括衬底、两条地线和位于所述两条地线之间的信号线,其中这些线被设置为在所述衬底上平行延伸。该滤波器元件还包括:可移动电容器电极,其桥接在所述两条地线之间,...
滤波电路和半导体装置制造方法及图纸
本发明公开了滤波电路和半导体装置。滤波电路包括低通滤波器和校准该低通滤波器的频率特性的校准电路。该校准电路包括负反馈电路和控制电路。当滤波电路处于校准模式时,负反馈电路向低通滤波器提供负反馈以形成环路,并且将该环路的增益设为大于一以使该...
声音处理装置、控制增益的装置和方法制造方法及图纸
本发明提供一种使用方向声音接收技术来估算背景噪音的功率的声音处理装置、控制增益的装置和方法,该声音处理装置使用多个声音接收单元,基于所估算的背景噪音的功率和预定的功率目标值计算增益控制值,和输出该增益控制值,从而可减少开始增益控制的延迟...
放大器电路和多级放大器电路制造技术
放大器电路包括:一个第一增强型FET,有一个栅极,加有输入信号及一个栅偏置电压,和一个漏极,通过它输出放大的输出信号,以及一个第二增强型FET,有一个漏极同漏极电压源相连,一个源极同第一FET的漏极相连,和一个栅极,加有提供给第一FET...
放大器和放大单元的前置补偿器制造技术
在一个前置补偿器中,一个要被输入到一个放大器中的输入信号通过放大器的输入一输出特性的逆特性被预先修正。该前置补偿器确定对应于输入信号的微分和积分中的一个或二者的校正系数以便根据修正的输入信号和校正系数进一步地把输入信号修正成为一个最终的...
纠错装置和纠错方法制造方法及图纸
本发明涉及用于纠正在多个信道上发送的数据项内的差错的纠错装置和纠错方法。其中,多个信道中至少有一个信道用作纠错信道。标识单元计算在其余信道上发送的数据项的异或值或者模和,作为在纠错信道上发送的数据,从而标识在这些信道上发送的数据项。异或...
增益调整方法和增益调整装置制造方法及图纸
公开了一种增益调整方法和增益调整装置,用于调整对输入语音信号进行信号处理而获得的经处理的语音信号的增益。根据该增益调整方法,计算所述经处理的语音信号的掩蔽属性,以及如果有频率根据掩蔽属性而被掩蔽,则对每一个这样的频率调整增益,同时在未被...
定时调节方法和定时调节设备技术
本发明涉及定时调节方法和定时调节设备。该定时调节方法基于要被放大且表示发送信号在放大前的振幅或功率的要被放大的信号和表示发送信号在放大后的振幅或功率的反馈信号,来检测从其获得发送信号的主信号路径与从其获得电压控制信号的控制信号路径之间的...
氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器制造技术
本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括:衬底;在衬底上形成的堆叠半导体结构,其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层,该n型氮化物半导体的电子...
功率放大装置制造方法及图纸
本发明公开了一种功率放大装置,其包括:高速低通滤波器,其输入发送信号中包含的包络信号;低速低通滤波器,其输入所述包络信号;判定单元,其输入所述包络信号并判定所述包络信号的上升或下降;选择单元,其根据所述判定单元的判定结果选择所述高速低通...
非线性补偿电路制造技术
一种具有简化的结构和减小的体积和重量的非线性补偿电路,设置在其中装有具有非线性输入/输出特性的电路的微波频带无线电设备中。一个由执行线性工作的线性工作装置和执行非线性工作的非线性工作装置组成的并联电路与作为非线性补偿的对象的要被补偿的电...
含有增强型晶体管电路的偏压电路的集成电路器件制造技术
集成电路器件包括:含有第一增强型晶体管的高频电子线路,至少一种偏压加到该晶体管的栅极上;偏压电路,它包括在形成第一增强型晶体管的基片上形成的第二增强型晶体管;以及串联在正电源和电源接地端之间的第一,第二和第三电阻,其中第一和第二电阻的连...
高频放大器和放大元件制造技术
放大元件构成为放大由组合多个独立调制的载波所产生的多载波信号。一种高频放大器,用于放大由组合多个独立调制的载波所产生的多载波信号。该放大器在其输出端执行预定滤波处理。还公开了一种放大元件,它和一个电路集成,用于抑制非线性失真的主分量,这...
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