本申请案涉及一种液体过滤设备及一种使用液体过滤设备过滤液体的方法。描述液体过滤器设备以及相关方法，所述液体过滤器包含：外壳；内部，其在所述外壳内；筒组合件(另称为“滤筒”)，其容纳于所述外壳内；及通气孔，其允许气态流体从所述外壳的内部释...

本申请案涉及一种液体过滤设备及一种使用液体过滤设备过滤液体的方法。描述液体过滤器设备以及相关方法，所述液体过滤器设备包含：外壳；内部，其在所述外壳内；筒组合件(另称为“滤筒”)，其容纳于所述外壳内；及通气孔，其允许气态流体从所述外壳的内...

本申请涉及涂覆有抗裂氟退火膜的制品及制造方法。提供与具有优异的抗等离子体蚀刻性且可延长RIE组件的使用寿命的涂层相关的制品及方法。制品具有真空兼容衬底及覆盖所述衬底的至少一部分的保护膜。所述膜包括含钇的氟化金属氧化物，其中使用AC电源沉...

本申请案涉及用于静电卡盘的螺旋多相电极。静电卡盘包含各自具有围绕所述静电卡盘的表面的中心的螺旋形状的多个电极，以提供多相静电卡盘。各电极可连接到不同相位的电力。所述螺旋形状可各自相互避开以及避开所述静电卡盘中的所述表面中的孔或开口。所述...

本实用新型大体上涉及一种用于流体容纳系统的配件及一种容纳系统。更具体来说，本实用新型涉及一种用于将衬里附接在容器内且提供从所述衬里到所述容纳系统的外部的流体路径的配件。所述衬里及所述配件的至少一部分为所述容纳系统提供湿表面，而所述配件具...

本申请涉及低金属含量聚烯烃过滤膜。提供了某些聚烯烃膜，其可用作液体纯化过滤器的组件。有利地，本公开的所述过滤膜具有极大降低的某些痕量金属的浓度，因此使得其在制造微电子装置所用液体的过滤中特别有用。在一个方面，本公开提供了一种包含聚烯烃的...

本申请案涉及一种过滤器及一种过滤器与歧管系统。自锁到过滤器歧管的所述过滤器包含在平面图中具有长轴及短轴且沿着所述长轴比沿着所述短轴长的凸缘。所述过滤器进一步包含在所述长轴上的止挡器，所述止挡器可在所述过滤器插入到过滤器歧管中且旋转时接触...

本实用新型涉及一种复合膜和一种过滤器。具体地，本实用新型涉及一种通过层压两个或更多个单独的多孔聚合物层而形成的复合膜，以及一种用于层压的方法和系统。有利地，所得复合材料是单层，所述单层难以分离成其组成层，但又有效地维持了所述组成层未被层...

本实用新型涉及一种静电卡盘组合件。本实用新型描述了在处理工件的步骤期间用以支撑所述工件的静电卡盘，所述静电卡盘包含由多个经沉积层制成的凸起，所述层包含类金刚石碳层及含有基于硅的材料的层，例如碳化硅层。例如碳化硅层。例如碳化硅层。

本申请案涉及用于从胺中去除金属物种的膜。本公开内容涉及从流体中去除金属污染物，以及用于实施此类方法的配体改性过滤材料。本公开的过滤器及方法对于从包含胺的液体组合物中去除金属特别有效。此类金属量明显减少的液体组合物可用于微电子制造工艺，例...

本申请涉及用于生产纯化水的过滤膜、系统和方法。描述用于生产纯化(例如，超纯)水的过滤膜、相关系统和相关方法，包含制备将可用于制造电子和半导体装置的过程中的纯化水的膜、系统和方法。系统和方法。系统和方法。

本申请案涉及一种过滤器及一种过滤器与歧管系统。自锁到过滤器歧管的所述过滤器包含在平面图中具有长轴及短轴且沿着所述长轴比沿着所述短轴长的凸缘。所述过滤器进一步包含在所述长轴上的止挡器，所述止挡器可在所述过滤器插入到过滤器歧管中且旋转时接触...

用于在晶片载体中使用的晶片缓冲器包含弹性梁，所述弹性梁包含：第一臂，其沿第一方向从所述晶片缓冲器的框架延伸；及第二臂，其沿第二方向从所述第一臂延伸；及晶片接触件，其位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。在正常条件期...

本发明提供可用于氮化硅材料相对于多晶硅、氧化硅材料及/或硅化物材料从其上具有这些材料的微电子装置的选择性去除的组合物。本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。发明的组合物特别可用于3...

本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显...

本申请案涉及一种静电卡盘组合件及一种用于制备所述静电卡盘组合件的方法。本发明描述了在处理工件的步骤期间用以支撑所述工件的静电卡盘，所述静电卡盘包含由多个经沉积层制成的凸起，所述层包含类金刚石碳层及含有基于硅的材料的层，例如碳化硅层。例如...

本实用新型提供静电放电缓解装置及一种流体回路。在一或多个实施例中，所述静电放电缓解装置是用以将静电荷从导电聚合物管道转移到导电聚合物操作组件的导电插入件。移到导电聚合物操作组件的导电插入件。移到导电聚合物操作组件的导电插入件。

本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由...

本发明描述制造方法及根据所述方法制造的存储单元。通过包括含有MgO的阻隔层，所述制造具有更低的热预算且经历更少的加热。所述制造方法可包括在沉积所述MgO后退火，其中所述退火在低于900℃或低于800℃的温度下发生。所述阻隔层可为由SiO...

本文中描述用于发动机的密封组合件的技术，所述密封件具有圆形碳石墨配合表面及圆形载体配合表面。所述圆形载体配合表面的平坦面包含圆形斜面，其可经配置以接收可移除环形嵌件。当插入到所述圆形斜面中时，所述环形嵌件与所述圆形碳石墨配合表面的平坦面...