晶片缓冲器制造技术

用于在晶片载体中使用的晶片缓冲器包含弹性梁，所述弹性梁包含：第一臂，其沿第一方向从所述晶片缓冲器的框架延伸；及第二臂，其沿第二方向从所述第一臂延伸；及晶片接触件，其位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。在正常条件期间，所述晶片缓冲器可仅在所述晶片接触件处接触所述晶片载体内的衬底。所述衬底也可在冲击事件发生时，接触所述第二臂上的次级接触点。所述晶片接触件可为v形沟槽式晶片接触件。所述晶片接触件可包含具有凸面的接触表面，所述接触表面经配置以在所述凸面处接触所述衬底。经配置以在所述凸面处接触所述衬底。经配置以在所述凸面处接触所述衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片缓冲器
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张2019年7月19日申请的第62/876,234号美国临时申请案的优先权及权利，所述申请案的全部内容出于所有目的以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及晶片载体，举例来说，在用于半导体处理的晶片载体，例如前开式晶片传送盒(“FOUP”)中使用的晶片缓冲器。

技术介绍

[0004]晶片载体可手动或自动处置或运输。此运输及处置可对所述载体造成物理冲击。举例来说，此类冲击事件包含所述载体的举例来说归因于坠落、误操作、运输车辆的制动，及所述晶片载体的其它此移动的突然加速或减速，或大于大约2m/s2的另一加速或减速。晶片缓冲器在晶片载体中用于限制所述载体内的晶片(例如半导体衬底)的移动，举例来说，以防止晶片在物理冲击发生时，撞击所述载体的一侧。
[0005]晶片缓冲器通常包含臂，所述臂从框架延伸到门的中心线且在所述晶片接触所述晶片缓冲器的接触点处终止。这些接触点处的接触防止所述晶片击中其它晶片或晶片载体内部的零件，从而减小当晶片载体经历冲击事件时的损害机率。
[0006]所述晶片缓冲器必须提供致力到晶片载体内所含的晶片，以提供保持并将保持力维持在预定范围内，以防止可不利地影响半导体处理及制造的对所述晶片的损害或粒子的产生。

技术实现思路

[0007]本公开涉及晶片载体，举例来说，在用于半导体处理的晶片载体(例如FOUP)中使用的晶片缓冲器。
[0008]通过使用v形弹簧，减小与晶片的接触与所述晶片缓冲器的框架之间的力矩臂。缩短此力矩臂可减小所述晶片缓冲器上的扭力，减小偏转的不均匀性且减小所述晶片缓冲器的保持力的不平衡。
[0009]在实施例中，一种晶片缓冲器包含框架及多个弹性梁。所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。
[0010]在实施例中，所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁的两者支撑时，所述晶片仅在所述多个弹性梁的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。
[0011]在实施例中，所述晶片接触件是V形沟槽晶片接触件。在实施例中，所述晶片接触件是桨形晶片接触件。
[0012]在实施例中，经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。
[0013]在实施例中，所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。
[0014]在实施例中，所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点定位在所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时接触晶片。
[0015]在实施例中，一种晶片载体包含晶片缓冲器，且所述晶片缓冲器包含框架及多个弹性梁。所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。
[0016]在实施例中，所述晶片缓冲器安装在所述晶片载体的门上。
[0017]在实施例中，所述晶片载体是前开式晶片传送盒。
[0018]在实施例中，一种支撑衬底的方法包含：在两个晶片接触件处接触所述衬底，其中所述两个晶片接触件中的每一者结合到单独弹性梁，所述弹性梁每一者包含沿第一方向延伸的第一臂及结合到所述第一臂且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二臂，且所述晶片接触件位于所述第二臂的与所述第二臂结合到所述第一臂之处相对的端处。
[0019]在实施例中，所述方法进一步包含当冲击事件发生时，在所述晶片接触件定位在其上的v形弹簧的第二臂上的两个次级接触点处接触所述衬底。
[0020]在实施例中，所述衬底仅在所述两个晶片接触件处与所述弹性梁接触。
[0021]在实施例中，所述晶片接触件具有凸面，所述晶片接触件经配置以在所述凸面处接触所述衬底。
附图说明
[0022]结合附图考虑各种阐释性实施例的以下描述可更完整地了解本公开。
[0023]图1展示根据实施例的晶片缓冲器的透视图。
[0024]图2展示根据实施例的晶片缓冲器的截面图。
[0025]图3展示当衬底与根据实施例的晶片缓冲器接触时，所述晶片缓冲器的一部分的截面图。
[0026]图4A展示根据实施例的晶片接触件的透视图。
[0027]图4B展示沿线4A
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4A取得的图4A的晶片接触件的截面图。
[0028]图5展示根据实施例的晶片接触件的平面图。
[0029]图6展示根据实施例的FOUP。
[0030]虽然本公开可具有各种修改及替代形式，但其详情已通过实例在图中展示并将详细描述。然而，应了解，不旨在将本公开的方面限制于所描述的特定阐释性实施例。相反，旨在涵盖落在本公开的精神及范围内的所有修改、等效物及替代物。
具体实施方式
[0031]除非内容另有明确规定，否则如在本说明书及所附权利要求书中所使用，单数形式“一及所述”包含复数指代物。除非内容另有明确规定，否则如在本说明书及所附权利要
求书中所使用，术语“或”通常以其包含“及/或”的意义采用。
[0032]术语“约”通常是指被认为等同于所述值的数字范围(例如，具有相同功能或结果)。在许多情况下，术语“约”可包含舍入到最接近的有效数字的数字。
[0033]使用端点表达的数值范围包含所述范围内所含的所有数字(例如，1到5包含1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)。
[0034]应参考图式阅读以下详细描述，其中不同图式中的相似元件被相同地编号。详细描述及不一定按比例的图描绘阐释性实施例且不希望限制本专利技术的范围。所描绘的阐释性实施例仅旨在作为示范性。除非明确相反陈述，否则任何阐释性实施例的选定特征可被并入到额外实施例中。
[0035]图1展示根据实施例的晶片缓冲器100的透视图。晶片缓冲器100是可被并入到晶片载体(未展示)中的组件，举例来说，结合到所述晶片载体的面向所述晶片载体的内部空间的一部分，例如，举例来说，所述晶片载体的门的内侧。晶片缓冲器100可包含允许结合到晶片载体的特征(未展示)，例如举非限制性实例，一或多个机械接合特征，例如卡扣、凸缘、突片或槽、粘合接合或用以将所述晶片缓冲器100结合到晶片载体或晶片载体的一部分(例如所述晶片载体的门)的其它此特征。晶片缓冲器100可通过举例来说，在晶片接触件110处接触所述衬底而将衬底机械地保持在所述晶片载体内。晶片缓冲器100可使用弹簧力以限制衬底的移动，使得防止所述衬底的显著位移或所述衬底与所述晶片载体的内部空间的壁的接触。
[0036]晶片缓冲器100包含框架102。若干弹性梁1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶片缓冲器，其包括：框架；及多个弹性梁，其中所述多个弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一方向延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂，且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。2.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述多个弹性梁经配置使得当晶片通过所述多个弹性梁中的两者支撑时，所述晶片仅在所述多个弹性梁中的所述两者的所述第二臂的所述端处接触所述晶片接触件。3.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述晶片接触件是V形沟槽晶片接触件或桨形晶片接触件。4.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中经配置以接触晶片的所述晶片接触件的表面具有凸面。5.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述第一臂在所述框架的周边处结合到所述框架，且所述第一方向朝向所述框架的中心线。6.根据权利要求1所述的晶片缓冲器，其中所述弹性梁中的每一者包含所述第二臂上的次级接触点，所述次级接触点位于所述第二臂结合到所述第一臂之处，且其中所述次级晶片接触件经配置以仅在冲击事件发生时才接触晶片。7.一种晶片载体，其包括晶片缓冲器，其中所述晶片缓冲器包含：框架；及多个弹性梁，其中所述弹性梁中的每一者包含：第一臂，其结合到所述框架且沿第一延伸到第一臂端；第二臂，其在所述第一臂端处结合到所述第一臂，且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸到第二臂端；及晶片接触件，其在所述第二臂端处结合到所述第二臂。8.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述晶片缓冲器安装在所述晶片载体的门上。9.根据权利要求7所述的晶片载体，其中所述晶片载体是前开...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：