恩特格里斯公司专利技术

恩特格里斯公司共有644项专利

  • 一种气体取样阱包含第一级和第二级。所述第一级包含与含硫物质反应以产生酸性气体的金属盐。所述第二级被配置成接收在所述第一级中产生的所述酸性气体。所述第二级中的吸附衬底吸附所述酸性气体。一种对气体进行取样的方法包含将气体引导到第一级内的金属...
  • 本发明描述经设计以用于在工件处理步骤期间支撑工件的静电夹盘,所述静电夹盘包含气流系统。流系统。流系统。
  • 一种盒包含具有盖主体的盖、具有底板主体的底板,以及一或多个密封表面。所述一或多个密封表面形成于所述底板主体及所述盖主体中的一或多者上,以提供密封。一种产生光罩盒的方法包含使一或多个密封表面形成于底板的底板主体及盖的盖主体中的至少一者上。...
  • 本实用新型涉及一种用于流体回路的操作性组件和一种用于流体回路的隔膜阀。本实用新型提供缓解流体回路中的静电电荷的操作性组件。说明性实施例包含隔膜阀,所述隔膜阀提供流体控制并允许静电荷在这些隔膜阀接地时耗散。散。散。
  • 本申请涉及碳化硅/石墨复合物与包括所述复合物的物件及组合件。本发明描述一种包含(i)内部块状石墨材料及(ii)外部碳化硅基质材料的碳化硅
  • 本申请案涉及具有多个层的烧结多孔体。描述包含由不同金属粒子制成的多个层且可用作多孔过滤膜的多孔、烧结金属体,以及制作及使用所述多孔、烧结金属体的方法。烧结金属体的方法。烧结金属体的方法。
  • 本发明提供可用于通过卤离子交换反应将氯
  • 使用干式涂布方法在光罩容器的内盒上产生感测区。所述感测区是具有特定光谱反射率的离散区。所述感测区经定位使得其可通过工具读取以确定所述盒的部分的距离。与用材料完全镀覆的内盒或其它湿式涂布施覆的材料相比,使用离散区及干式涂布方法用于施覆所述...
  • 本申请涉及气体处理系统及方法。描述包含预热器的气体处理系统,其用于处理气体的流动,使气体流动到接触介质(例如,净化介质、催化剂、吸附剂),且描述相关方法。且描述相关方法。且描述相关方法。
  • 本申请涉及聚(喹啉)膜。概括来说,本公开提供某些膜,所述膜在从液体组合物、特别是在微电子器件行业中使用的液体组合物中除去金属离子、金属颗粒和/或有机污染物中用作过滤材料。本公开的所述膜是包含聚(喹啉)聚合物的多孔膜。有利地,所述聚(喹啉...
  • 本发明描述一种用于以一定蚀刻速率,从微电子装置蚀刻钼的蚀刻剂组合物及方法。使微电子装置与蚀刻剂组合物接触足以至少部分去除所述钼的时间。所述蚀刻剂组合物包含至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂及至少一种碱且具有7.5到13的pH。所述蚀刻...
  • 本发明描述氟化钇组合物,包括含有氟化钇的沉积膜,例如涂层;制备氟化钇组合物和含有氟化钇的沉积膜涂层的方法;以及具有在表面处含有氟化钇的沉积膜涂层的衬底和包括所述衬底的方法和设备。底的方法和设备。底的方法和设备。
  • 本发明提供可用于在半导体装置的制造中形成含硅膜的某些硅前驱物化合物,并且更特定来说用于形成所述含硅膜的组合物和方法,所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅膜的膜。膜。
  • 本文提供可用于沉积含硅膜的某些液体硅前驱物,所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅的膜。还提供利用气相沉积技术形成所述膜的方法。成所述膜的方法。成所述膜的方法。
  • 本发明描述一种用于监测流体的多程池组合件,以及利用所述多程池组合件的流体处理系统及使用此多程池组合件来进行流体监测的相关联方法。所述多程池组合件通常用于例如监测气相沉积工艺反应物等流体处理操作中,所述气相沉积工艺反应物例如用于从羰基钨前...
  • 本发明描述用于处理有机液体的薄膜蒸馏的方法,可用于薄膜蒸馏方法的疏水性蒸馏薄膜以及制备所述疏水性蒸馏薄膜的方法。以及制备所述疏水性蒸馏薄膜的方法。以及制备所述疏水性蒸馏薄膜的方法。
  • 本申请涉及一种可移除过滤器滤芯、其密封阀及改装过滤器外壳的方法。所述可移除过滤器滤芯包含容纳过滤器的过滤器外壳和耦合到所述过滤器外壳的开放端的密封阀。所述密封阀配置成将所述可移除过滤器滤芯以可移除方式耦合到过滤器头部。打开位置允许流体流...
  • 本申请案涉及气体处理设备。描述包含预热器的气体处理系统,其用于处理气体的流动,使气体流动到接触介质(例如,净化介质、催化剂、吸附剂),且描述相关方法。且描述相关方法。且描述相关方法。
  • 描述滤筒及涉及滤筒的过滤设备,所述滤筒包含筒支撑件,所述筒支撑件包含定心表面、螺旋股或两者。滤筒包括筒远端及筒近端和筒支撑件。筒支撑件在筒远端与筒近端之间延伸。筒支撑件包括螺旋股。螺旋股包含沿着螺旋股的螺旋路径延伸的长度,径向方向上的厚...
  • 一种气体储存和分配容器包含储存器皿、第一气体压力调节器和第二气体压力调节器。所述储存器皿配置成容纳加压气体。所述气体储存和分配容器具有用于排放所述加压气体的排放流动路径。所述第一气体压力调节器设置在所述储存器皿内,并且所述第二气体压力调...