本发明提供适用于选择性地蚀刻钌和/或铜的组合物。所述组合物包含某些过碘酸盐化合物、氢氧化烷基铵或烷基鏻、碳酸盐或碳酸氢盐缓冲剂和水，其中所述组合物的pH为约9至约12.5。本发明的组合物有效用于本发明的方法中且已发现能够以类似速率，即&...

本发明提供一种利用呈粉末形式的碘化锂且通过叔胺催化，由三氯硅烷制备某些硅烷前体化合物，例如三碘硅烷的方法。所述方法以高产率和高纯度提供三碘硅烷。三碘硅烷是可用于将硅原子层沉积到各种微电子装置结构上的前体化合物。

本申请案提供一种阀部件，所述阀部件包含隔膜部分及可附接到所述隔膜部分的阀头。所述阀头包含经配置以与界定在阀中的阀座啮合的啮合部分。所述啮合部分是由含有至少一种氟聚合物的可熔融处理材料形成。所述隔膜部分是由不可熔融处理且含有至少一种氟聚合...

本发明提供一种用于从上面有氧化铈粒子和化学机械抛光(CMP)后污染物的微电子装置清洁所述污染物和粒子的去除组合物和方法。所述组合物实现从所述微电子装置的表面高度有效去除所述氧化铈粒子和CMP副产物污染物材料而不损害低k介电材料、氮化硅材...

本发明描述多孔烧结金属体及通过增材制造方法而制作多孔烧结金属体的方法。

本申请案涉及一种界面附近的流体的准确温度读取。用于使用具有测量表面的传感器来确定温度或温度相关变量的系统及方法包含：传感器主体，其具有一或多个壁且含有中间材料；窗，其提供测量表面；第一温度传感器，其在所述窗处或其附近获得第一温度；第二温...

本发明涉及一种静电卡盘，其通过在升高凸起上提供导电路径来解决晶片粘附的问题，所述升高凸起桥接在一起且连接到接地以便将晶片衬底支撑在所述静电卡盘的表面上面。此外，横向隔开的电极图案以及远离所述升高凸起横向且纵向隔开的电极元件减少或消除晶片...

描述复合中空纤维滤膜和过滤器，所述复合中空纤维滤膜包含聚合微孔中空纤维支撑物，其包括：外表面，内表面，延伸于所述外表面与所述内表面之间的厚度；和微孔；和多孔聚合过滤层，其包括接触所述外表面的凝结聚合物。

本申请案涉及过滤器寿命指示介质及保持器。一种介质样本保持器包含基底及经配置以允许将所述基底附接到附接适配器的多个固持组合件，所述多个固持组合件包含固持突片及相对的柔性释放杠杆臂。所述介质样本保持器可将介质样本附接在过滤器上或附近。保持于...

等离子体增强原子层沉积PEALD方法，其使用具有式R

本发明公开一种阀系统，其具有阀位置指示器。所述阀位置指示器允许从一或多个观看位置观看阀位置。在一个实例中，所述阀位置指示器包含阀组合件上的侧阀打开/关闭指示器及顶阀打开/关闭指示器。指示器锁定机制将所述阀位置指示器牢固锁定成与控制阀的位...

本发明大体上涉及一种组合物和方法，所述组合物和所述方法用于自上面具有残留物和污染物的微电子装置清洁所述残留物和/或污染物。所述残留物可包括CMP后、蚀刻后和/或灰分后残留物。所述组合物和方法在对包含铜、低k介电材料和阻挡材料的微电子表面...

本发明提供组合物，其适用于从其上具有氮化硅材料、多晶硅、氧化硅材料及/或硅化物材料的微电子装置相对于所述多晶硅、所述氧化硅材料及/或所述硅化物材料选择性移除所述氮化硅材料。本发明的所述组合物尤其适用于蚀刻3D NAND结构。

本发明描述化学气相沉积CVD方法，其使用式R

本发明大体上涉及一种用于容纳流体的容纳系统。更具体来说，本发明涉及一种用于将衬里附接于容器内且提供从所述衬里到所述容纳系统的外部的流体路径的配件。所述衬里及所述配件的至少一部分提供所述容纳系统的湿面，同时所述配件具有可接合到例如提供刚性...

本发明描述经硼掺杂的非晶形碳硬掩模、制备经硼掺杂的非晶形碳硬掩模的方法、使用所述经硼掺杂的非晶形碳硬掩模的方法及包含所述经硼掺杂的非晶形碳硬掩模的装置。

本申请案涉及多层静电卡盘组合件。描述了用以在晶片处理期间紧固和支撑晶片衬底的多层静电卡盘和相关方法，其中所述卡盘包含接地结构，所述接地结构包含接地层和接地引脚。所述接地结构包含接地层和接地引脚。所述接地结构包含接地层和接地引脚。

一种在衬底上形成含钼材料的工艺，其中在气相沉积条件下使所述衬底与二氯二氧化钼(MoO

本实用新型涉及一种注射模制的多孔烧结体。所述注射模制的多孔烧结体的特征在于所述多孔烧结体包含烧结颗粒并且具有介于百分之50至80的范围内的孔隙率。

本实用新型涉及一种液体可流动多孔滤膜、一种滤筒和一种过滤器。所述液体可流动多孔滤膜是包括两个相对侧且具有不对称孔隙结构的液体可流动、多孔聚乙烯滤膜；包括此类型的多孔聚乙烯滤膜的过滤器组件和过滤器；制造所述多孔聚乙烯滤膜、过滤器组件和过滤...