使用钌前驱物的等离子体增强原子层沉积(PEALD)方法技术

等离子体增强原子层沉积PEALD方法，其使用具有式R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用钌前驱物的等离子体增强原子层沉积(PEALD)方法


[0001]本专利技术涉及使用含钌前驱物及还原等离子体的等离子体增强原子层沉积方法，以及由其制作的微电子制品。

技术介绍

[0002]钌(Ru)已用作在各种微电子制品的制作中的材料，诸如在工业半导体制造中的材料。钌可向这些类型的制品提供各种所要特性，诸如高热稳定性/熔点、低电阻率、可蚀刻性、抗氧化性及铜晶种增强。Ru视为用于互补金属氧化物半导体(CMOS)以及用于随机存取存储器应用的电容器的可能的栅极电极材料，所述随机存取存储器应用诸如铁电RAM(FRAM)及动态随机存取存储器(DRAM)应用。
[0003]在适用于其功能的形成微电子制品期间，已使用各种沉积技术来沉积材料，诸如Ru。这些沉积方法通常用以在微电子衬底的部分上形成材料的薄膜。示范性技术包含化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、蒸发沉积及分子束外延法(MBE)。
[0004]在典型CVD方法中，诸如钌的金属以挥发性金属前驱物的形式经错合，所述挥发性金属前驱物在衬底表面上反应或分解以形成金属的沉积物，且一般本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于沉积钌的方法，其包括：(a)将具有式I：R
A
R
B
Ru(0)的钌前驱物提供至衬底表面，其中R
A
为含芳基配位体，且R
B
为含二烯基配位体；及(b)使用大于200W的功率将还原等离子体提供至所述衬底表面，其中在等离子体增强原子层沉积PEALD方法中，将钌沉积于所述衬底上。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含钌前驱物具有式II：其中一或多个或R1至R6选自H及C1
‑
C6烷基，R7为0(共价键)或具有1至4个碳原子的二价烯烃基，且R8及R9形成一或多个环结构或选自H及C1
‑
C6烷基。3.根据权利要求2所述的方法，其中R1至R6中的一者、两者或三者选自C1
‑
C3烷基，其中剩余的R1至R6为H。4.根据权利要求2所述的方法，其中R7为0(共价键)，且R8及R9形成一或多个环结构。5.根据权利要求1所述的方法，其中R
A
及R
B
不包含任何杂原子。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钌前驱物具有在12至20、14至18、或15至17的范围内的总碳原子量。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述钌前驱物具有在16至28的范围内、在19至25的范围内、或在20至24的范围内的总氢原子量。8.根据权利要求1所述的方法，其中R
A
为具有两个不同烷基的二烷基苯。9.根据权利要求1所述的方法，其中R
A
选自由以下组成的群组：甲苯、二甲苯、乙苯、异丙苯及异丙基甲苯。10.根据权利要求1所述的方法，其中R
B
为环状二烯。11.根据权利要求1所述的方法，其中R
B
为共轭二烯。12.根据权利要求1所述的方法，其中R
B
为1,3
‑
环己二烯或1,4
‑
环己二烯或烷基环己二烯。13.根据权利要求1所述的方法，其中钌前驱物选自由以下组成的群组：(异丙基甲苯)(1,3
‑
环己二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(1,4
‑
环己二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(1
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(2
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(3
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(4
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(5
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(6
‑
甲基环己
‑
1,3
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(1
‑
甲基环己
‑
1,4
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(2
‑
甲基环己
‑
1,4
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(3
‑
甲基环己
‑
1,4
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)(4
‑
甲基环己
‑
1,4
‑
二烯)Ru(0)、(异丙基甲苯)
(5
‑
甲基环己
‑
1,4

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：