一种多炉管的原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术属于真空设备领域，提供了一种多炉管的原子层沉积设备，包括至少两个炉管，每个炉管的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路，总管路的另一端连接有一个真空抽吸装置。本发明专利技术提供的多炉管的原子层沉积设备，各炉管共用一套真空系统，保证薄膜沉积均匀性的同时提高了设备的总产能，降低了相同产能配置所需的设备成本。备成本。备成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多炉管的原子层沉积设备


[0001]本专利技术涉及一种原子层沉积设备，尤其涉及一种多炉管的原子层沉积设备。

技术介绍

[0002]晶硅电池以及一些电子器件的制备过程中需要在硅片等衬底上沉积各种薄膜材料，以晶硅电池为例，为了增加晶硅表面的钝化以减少光生载流子的复合，需要在晶硅表面沉积一层氧化铝，现有方式多是通过PECVD(等离子增强化学沉积设备)或者ALD(原子层沉积设备)制备，即硅片衬底分别在石墨舟或铝舟载具上放置在高温炉管内，通过跟对应的气源进行化学反应将氧化铝沉积在硅片表面。
[0003]目前的真空沉积设备普遍存在的一个问题是，为了提升单炉管产能需要将炉管做的非常长(舟可以更长使放置的硅片更多)，以原子层沉积设备为例，沉积的过程为炉口一侧通入气源，炉尾通过真空泵进行抽滤，保证腔体处于稳定的工艺压力下，同时将气源在真空压力作用下从头分散至尾，但是由于沉积过程硅片会对气源产生消耗，气源从炉门通入经过炉头炉中硅片的反应消耗后，炉尾的气源量就会比较稀少，因此炉尾的薄膜沉积均匀性就会比较差。想要兼顾薄膜沉积均匀性和高产能目前没有较好的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：包括至少两个炉管，每个所述炉管的炉尾通过连接管共同连接有一个总管路，所述总管路的另一端连接有一个真空抽吸装置。2.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：每个所述炉管为双层结构，由内到外分别为工艺内腔和外壳。3.根据权利要求1所述的一种多炉管的原子层沉积设备，其特征在于：所述真空抽吸装置为真空泵。4.根据权利要求1所述的一种多炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶俊，张三洋，王雪楠，刘敏星，高根震，姚丽英，
申请(专利权)人：无锡琨圣智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：