本发明提供一种逆导

本发明提供一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，包括：下表面设置有集电极的P+型碳化硅衬底；位于所述P+型碳化硅衬底上方的N型场截止层；位于所述N型场截止层上方的N

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种集成SBD的MOSFET器件及其制备方法，器件包括N型衬底，N型衬底从下至上依次具有N型外延、Pwell区、N+区、第一P+区；N型外延、Pwell区和N+区具有沟槽，沟槽依次贯通N+区、Pwel...

本发明涉及电动汽车技术领域，具体公开了用于充电桩的绝缘检测电路，包括：供电电源、MCU、三极管Q1、运算放大器U1、电阻R1、电阻R2；三极管Q1的发射极和基极短接，三极管Q1的发射极还分别与被测物和运算放大器U1的正输入端连接；三极管...

本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括漏极；N+型衬底层，第一P型基区、第二P型基区以及第三P型基区；第一P+离子注入区、第三P+离子注入区、第四P+离子注入区；第一N+离子注入区，连接所述第一P...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中器件包括N型衬底，N型衬底从下至上依次具有N型外延、两个Pwell区，两个Pwell区分别位于N型外延顶部的两侧；Pwell区内具有N+区和第一P+区，N+区...

本申请提供了一种八边形分裂栅平面碳化硅MOSFET版图结构。通过采用不同的布局方式，同时引入了分裂栅结构，极大程度优化了高频特性。与现有的方形、六边形元胞布局相比，该结构实现了分裂栅的结合，在保障低导通电阻的同时，极大程度降低了栅漏电容...

本发明涉及电子电力技术领域，具体公开了一种降压型功率变换器及其控制方法，其中变换器包括电荷泵半压单元；电荷泵半压单元中开关管SW4的源极与半压电容C3的一端，以及输入端Vin的正极连接；开关管SW4的D极与开关管SW3的漏极连接，连接点...

本发明属于三维互联器件技术领域，特别是涉及一种三维互联器件及其制备方法，三维互联器件包括基板和芯片，所述基板和所述芯片通过连接层连接；所述连接层包括焊膏和第一连接材料，所述第一连接材料包括金属纳米片，所述焊膏填充于所述第一连接材料的骨架...

本发明涉及电子封装技术领域，提出一种电子器件及其制备方法，其中电子器件包括：基材、芯片和第一导电填料；所述第一导电填料包括高分子树脂和液态金属核壳结构；所述液态金属核壳结构包括预制液态金属和金属壳，所述预制液态金属分散于金属壳内部；所述...

本发明涉及功率半导体技术领域，提出一种集成SBD的碳化硅SGT

本申请提供了一种SiC多级阶梯分裂栅沟槽MOSFET器件及其制作方法。通过设置接地的分裂栅结构将栅极与漂移区和漏极隔离开来，致使C

本发明属于半导体测量技术领域，提供了一种压接型功率半导体器件应力场重构方法及系统，方法包括：构建应力场分布计算模型；获得压接型功率半导体器件内部各子模组的接触参数测量平均值；获得压接型功率半导体器件内部各子模组的接触参数计算平均值；当压...

本发明涉及充电桩技术领域，具体公开了人体感应式投影装置，包括充电桩本体，还包括设置在充电桩本体内的人体检测模块、主控模块和投影模块；人体检测模块用于检测人体并生成检测信号；主控模块用于获取充电桩本体的状态信息；还用于获取检测信号，基于检...

本发明涉及功率半导体技术领域，提出一种集成SBD的碳化硅分裂栅沟槽MOSFET及制备方法，其中方法包括：N+型衬底，N+型衬底上生长N+型缓冲层；N+型缓冲层上生长N

本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法及系统，本发明中的方法包括：测量获得压接型功率半导体器件中各子模组的初始接触力值、接触力波动值和初始结温值；根据各子模组的初始接触力值和接触力波动值，以及压接型功率半导体器件内部单...

本发明涉及功率半导体技术领域，提出一种功率半导体器件封装结构及其制备方法，其中功率半导体器件封装结构包括：引线框架，支承在所述引线框架上的半导体芯片，支承在所述半导体芯片上的应力缓冲层，支承在所述应力缓冲层上的金属互联结构，以及将所述引...

本实用新型涉及电路技术领域，具体公开了一种LLC谐振变换器，包括电源、开关网络、三个整流模块、三个高频逆变器和三相高频变压器；第一高频逆变器、第二高频逆变器和第三高频逆变器的第一端均与电源的正极连接，第一高频逆变器、第二高频逆变器和第三...

本发明涉及电源供给技术领域，具体公开了一种户外照明装置及控制方法，其中装置包括户外电源本体和照明模块；照明模块包括壳体，以及设置在壳体内的电池单元、通信单元、控制单元和发光单元；户外电源本体与照明模块的壳体可拆卸连接；户外电源本体用于与...

本发明涉及栅极驱动电路技术领域，具体公开了供一种降低栅极驱动电路功耗的方法及装其中，装置包括时序发生电路、开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、开关管Q4、驱动电阻R