本发明提供了一种碳化硅JFET元胞结构及其制作方法。本发明中元胞结构包括碳化硅N+衬底层、碳化硅N

本发明属于焊膏烧结技术领域，具体涉及一种功率芯片的烧结方法和功率芯片。本发明的功率芯片的烧结方法包括：于基板上通过印刷或点胶的方式设置具有间隙分布的第一焊膏；之后在第一焊膏的间隙内点注第二焊膏；将芯片设置在焊膏区域内，烧结成型，之后进行...

本发明涉及充电桩技术领域，具体公开了隐藏式屏显结构，包括弧形的面板，还包括屏显板、驱动板和若干LED数码管；屏显板的外表面为弧形，弧度与面板的弧度一致；屏显板的外表面还开有与LED数码管数量匹配的若干透光窗；屏显板的内表面开有第一放置槽...

本发明涉及电路技术领域，具体公开了一种LLC谐振变换器控制系统及方法，其中控制系统包括三个高频逆变器和三相高频变压器；三个高频逆变器并联，相位相差120度；三相高频变压器采用Dy连接，原边侧三角形接线；副边侧星形接。采用本发明的技术方案...

本发明涉及数据监测领域，公开了一种半导体器件接触压强的监测方法，包括：获取接触面反射波幅值以及耦合界面反射波幅值，根据所述耦合界面反射波幅值得到接触面入射波幅值，根据所述接触面入射波幅值以及所述接触面反射波幅值得到超声波反射系数。本发明...

本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种碳包铜合金核壳结构制备装置、方法以及低温烧结焊膏，碳包铜合金核壳结构低温烧结焊膏，包括核壳结构和助焊剂，核壳结构的内核为纳米铜合金，内核外包覆有壳层，壳层为碳层；其中碳包铜合金核壳结构采用丝爆法制...

本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种枝晶状核壳结构制备装置、方法以及低温烧结焊膏，包括核壳结构和助焊剂，核壳结构的内核为枝晶状的纳米铜或微米铜，内核外包覆有壳层，壳层为碳层；焊膏中核壳结构的质量百分比为80％～90％，其余为助焊剂；...

本申请提供了一种用于减小功率半导体器件栅极电压过冲的方法，该方法在开通时刻调节推挽电路开关管Q1开关时序，在输入信号由低电平跳变为高电平的时刻，先短暂打开开关管Q1，然后短暂关闭开关管Q1，将超出部分的正电压拉回，最后再次打开开关管Q1...

本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种铝线键合方法，包括如下步骤：铝线切断：切刀根据设定的切割深度，将铝线切断；移出焊接区：键合头按设定高度及长度移出焊接区域，其中，设定的高度为0。本发明的技术方案具有较强的通用性，能够进一步降低出...

本申请提供了一种碳化硅MOSFET元胞版图结构。该结构包括SBD和四个八边形碳化硅MOSFET元胞结构，通过改变所述八边形碳化硅MOSFET元胞结构的斜边比例从而调节所述中间方形空洞区域与所述八边形碳化硅MOSFET元胞结构的元胞版图占...

本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种片状核壳结构制备装置、方法以及低温烧结焊膏，包括核壳结构和助焊剂，核壳结构的内核为片状的纳米铜，内核外包覆有壳层，壳层为碳层；焊膏中核壳结构的质量百分比为85％～90％，其余为助焊剂；其中用于制备...

本发明属于半导体器件处理技术领域，具体涉及一种通过晶背优化降低导通电阻的方法，包括以下步骤：衬底减薄：采用减薄机将SiC晶圆衬底减薄；蒸镀欧姆接触材料：在衬底背面通过蒸镀工艺形成欧姆接触材料层；激光刻蚀：激光刻蚀欧姆接触材料层和SiC晶...

本发明属于专门适用于半导体器件制造的测试方法技术领域，具体涉及一种芯片在晶圆阶段的缺陷检测方法，包括以下步骤：设备改造：在CP测试机的晶圆托盘上加装加热台，加热台上设置晶圆固定装置、加热装置和冷却装置；室温检测：待测晶圆放到CP测试机加...

本申请提供了一种基于自蔓延薄膜的纳米铜烧结方法，通过对镍铝薄膜按照预设间距进行挖孔，然后使用点胶机在所挖的各个孔中注入纳米铜焊膏，以得到单块的纳米铜焊膏和镍铝薄膜的组合体，对自蔓延纳米铜烧结结构先进行预热和保温，然后继续进行二次加热和二...

本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种球状核壳结构低温烧结焊膏及其制备方法，焊膏包括核壳结构和助焊剂，核壳结构的内核为球状的纳米铜，内核外包覆有壳层，壳层为碳层；焊膏中核壳结构的质量百分比为70％～90％，其余为助焊剂；助焊剂包括有机...

本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种集成SBD的碳化硅平面MOSFET及其制造方法，其中方法包括：N型衬底，在N型衬底上生长N型外延层；在N型外延层上离子注入JFET区；在N型外延层上离子注入两个Pwell区；在两个Pwell区上...

本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法，SiC半超结结型栅双极型晶体管器件由下至上依次为集电极金属层、P+型衬底层、N型辅助层、沿N型辅助层的宽度方向交替地形成在N型辅助层上的N柱区和P...

本实用新型属于半导体检测技术领域，具体涉及一种图示仪CCD图像自动采集装置，包括安装于图示仪上的图像采集箱，所述图像采集箱内安装有用于采集图示仪显示屏上波形的CCD相机。本实用新型中，利用图像采集箱内的CCD相机采集图示仪显示屏上的波形...

本实用新型涉及产品加工技术领域，具体公开了一种IGBT模块固定治具，包括底板、正固定块、推紧块、弹性件和若干侧挡块；底板开有若干呈矩阵分布的第一固定孔，正固定块的顶面垂直开有第一安装孔；侧挡块的顶面垂直开有第二安装孔；侧挡块与正固定块共...

本实用新型涉及生产加工技术领域，具体公开了用于IGBT模块信号端子的固定工装，包括底座、DBC固定块和第一端子固定块；底座长度方向的两端向上凸起，形成固定座，固定座之间形成放置部；放置部的表面开有容纳槽；DBC固定块可拆卸连接在放置部的...