本实用新型提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧...

本发明提供了一种荧光化合物、制备方法、应用和书写介质。荧光化合物包括季铵(膦)盐阳离子和金属卤化物阴离子形成的晶态化合物，结构式为[R

本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅...

本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，...