本实用新型属于半导体检测技术领域，具体涉及一种图示仪测试弹片结构，包括测试弹片本体，所述测试弹片本体包括若干测试片，每片测试片呈L型，测试片包括水平部和竖向部，水平部上设有安装位，竖向部上设有测试端，每片测试片的测试端齐平。本实用新型中...

本申请提供了一种微纳米金属焊膏脉冲电烧结方法。该方法在基板表面先生长一层氮化铜，再生长一层导电金属膜，并印刷焊层，将芯片贴放于焊层上后置于无氧环境中施加辅助压强，将电极置于金属膜层上，输出脉冲电流以完成烧结。该方法兼容现有基板图案，在电...

本申请提供了一种RC

本申请提供了一种深沟槽碳化硅JFET结构及制作方法。该结构在源极引入深沟槽结构，并在沟槽底部和侧壁形成P型离子注入区，同时在栅极引入浅沟槽结构，同时在沟槽底部和侧壁形成P型离子注入区。栅源极之间形成垂直导电沟道，提高器件的载流子迁移率，...

本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种SiC MOSFET中JFET区域的霍尔迁移率的模拟测试方法，包括：对SiC晶圆的其中一个表面进行N型离子注入；对所述SiC晶圆上注入N型离子的表面覆盖SiO2薄膜；在所述SiO2薄膜上光刻霍尔条形...

本发明涉及一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路，用以解决工作在直流或低频开关状态下的功率半导体器件的栅极驱动的问题，从而使得功率半导体驱动电路的成本更低且尺寸更小，提升使用直流或低频开关的功率半导体的电力电子设备的功率密度...

本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种功率芯片的互联方法，包括如下步骤：S1、根据芯片通过电流大小，计算植球密度，根据计算出的植球密度，在芯片上植金球；S2、将固化胶涂抹于芯片表面，使固化胶的高度与金球上表面相平；S3、将需要连接的...

本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种耗尽型碳化硅双极器件结构及制作方法，耗尽型碳化硅双极器件结构包括前级部分和后级部分，前级部分为碳化硅JFET结构；后级部分位于本器件结构的下部，在后级部分中，N+型衬底层、N+离子注入区、肖特基...

本实用新型属于半导体检测技术领域，具体涉及一种图示仪手动批量测试工装，包括图示仪和检测台，图示仪具有测试线A和测试线B，检测台上设有探针板以及用于驱动探针板升降的驱动机构，探针板朝向检测台的一侧固定安装有若干测试探针，测试探针均与测试线...

本实用新型属于半导体焊接技术领域，具体涉及一种IGBT模块DBC的焊接定位工装，包括焊接定位板，焊接定位板上开设有至少一个焊接定位孔，每个焊接定位孔内设置有至少一个焊接定位单元，焊接定位单元所对应的焊接定位孔边缘凸起有至少一个挡块，挡块...

本实用新型属于半导体生产技术领域，具体涉及一种IGBT模块DBC铝线绑定工装，包括安装基座，安装基座的上端面为装载面，装载面上设置有卡片，卡片经卡片移动机构活动固定在装载面上，安装基座上经卡条摇摆机构活动设有卡条，卡条卡接端与装载面相交...

本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供一种碳化硅JFET器件结构及其制备方法，包括自下而上依次设置的碳化硅N+衬底、碳化硅N

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种用于直流或低频开关的功率半导体器件栅极驱动电路，包括顺序连接的时序发生电路、高低电流驱动电路、隔离器件和加速关断电路。用以解决工作在直流或低频开关状态下的功率半导体器件的栅极驱动的问题，从而使得功...

本发明提供了一种用于减小栅极负压驱动电路功耗的栅极驱动器装置。本发明旨在解决传统驱动电路在采用电荷泵电路产生负压时，并且在高开关频率及高被驱动器件栅极电荷的情况下负压损耗非常大的问题。本发明在驱动电路对被驱动器件进行关断时，先将栅极电压...

本实用新型属于二极管封装配件技术领域，具体涉及一种光伏二极管的铜片夹扣结构，包括铜片夹扣本体，所述铜片夹扣本体包括框架焊接区、连接区和芯片焊接区，所述芯片焊接区上设有凸台，所述凸台的直径沿凸台远离芯片的方向逐渐减小，凸台远离芯片的一端设...

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种光伏二极管的框架阴刻结构，包括引脚和框架底板，框架底板上设有焊盘区，焊盘区上设有若干相对于焊盘区凹陷的凹点，焊盘区上还设有相对于焊盘区凹陷的凹槽。本实用新型解决了半导体器件在平面烧结时焊膏容...

本实用新型属于专门适用于半导体器件制造的测试设备技术领域，具体涉及一种缺陷芯片的高温检测装置，包括CP测试机，CP测试机包括晶圆托盘，晶圆托盘包括加热台，加热台中部设有吸附机构，加热台包括加热装置和冷却装置，加热装置和冷却装置均平行于加...

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种光伏二极管的框架结构，包括引脚和框架底板，框架底板上设有焊盘区，焊盘区上设有若干相对于焊盘区凸起的凸点，凸点之间还设有相对于焊盘区凹陷的凹槽。本实用新型不但解决了芯片在平面框架底板上烧结时焊...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体开关组件，包括高压无拖尾电流开关器件、低压无拖尾电流开关器件和有拖尾电流开关器件；有拖尾电流开关器件与低压无拖尾电流开关器件串联，高压无拖尾电流开关器件与串联后的有拖尾电流开关器件与低压无拖...

本发明属于半导体检测技术领域，具体涉及一种图示仪手动批量测试工装，包括图示仪和检测台，图示仪具有测试线A和测试线B，检测台上设有探针板以及用于驱动探针板升降的驱动机构，探针板朝向检测台的一侧固定安装有若干测试探针，测试探针均与测试线A连...