【技术实现步骤摘要】
一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法及系统
[0001]本专利技术属于半导体测量
，具体涉及一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法及系统。
技术介绍
[0002]压接型功率半导体器件使用电极板将芯片进行规模化并联，通过施加在电极板上的压力保持电气连接。不仅满足柔直输电装备的高电压大电流使用要求，而且器件的失效短路模式也为柔直输电装备的安全可靠运行提供必要保障。
[0003]压接型功率半导体器件内部结温直接影响器件的可靠性，压接型功率半导体器件的失效原因超过50%是结温过高或者结温大幅度波动引起压接型功率半导体器件温度易受接触压强分布影响；在长期的功率循环过程中，材料表面的微动磨损也会影响器件内部接触参数，导致压接型功率半导体器件内部温度分布不均，严重情况下会引起器件失效。器件内部结温分布是表征器件健康状态的重要指标，准确获取压接型功率半导体器件内部结温分布对器件状态监测及健康管理具有重要意义。
[0004]获取压接型功率半导体器件内部结温分布的现有技术中主要包括以下方案：
①
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法，其特征在于，所述方法包括：测量获得压接型功率半导体器件中各子模组的初始接触力值、接触力波动值和初始结温值；根据所述各子模组的所述初始接触力值和所述接触力波动值，以及压接型功率半导体器件内部单个子模组的初始接触力值、结温波动值和接触力波动值的函数关系，得到所述各子模组的结温波动值；基于所述各子模组的结温波动值和初始结温值，得到所述各子模组的内部结温值；基于所述各子模组的内部结温值，获取压接型功率半导体器件内部结温分布。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在未对所述单个子模组施加电流时，测量获得所述单个子模组的初始测量数据，所述初始测量数据用于表征所述初始接触力值；对所述单个子模组施加电流，测量获得所述单个子模组的波动测量数据，所述波动测量数据用于表征结温波动值以及所述结温波动值对应的所述接触力波动值；对所述单个子模组的所述初始测量数据和所述波动测量数据进行曲线拟合，获取压接型功率半导体器件内部单个子模组的初始接触力值、结温波动值和接触力波动值的函数关系。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量获得压接型功率半导体器件中各子模组的初始接触力、接触力波动值和初始结温值包括：利用第一非侵入式测量装置测量所述各子模组的初始接触力值和接触力波动值；利用第二非侵入式测量装置测量所述各子模组的初始结温值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用第一非侵入式测量装置测量所述各子模组的初始接触力值和接触力波动值包括：在未对所述各子模组施加电流时，通过所述第一非侵入式测量装置在第一时间点测量所述各子模组的接触力，获得所述各子模组的初始接触力值。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用第一非侵入式测量装置测量所述各子模组的初始接触力值和接触力波动值还包括：对所述各子模组施加电流时，通过所述第一非侵入式测量装置在第二时间点对所述各子模组测量，获得所述各子模组的接触力值；基于所述各子...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓，陈显平，李辉，
申请(专利权)人：重庆平创半导体研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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