一种SiCMosfet阈值电压监测系统及方法技术方案

本发明专利技术提供了一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法，属于SiC Mosfet阈值电压监测技术领域。本发明专利技术中控制器与驱动模块和开关模块分别连接；驱动模块与开关模块连接；开关模块与测试回路连接；测试回路与阈值电压采集模块连接；控制器控制驱动模块，通过驱动模块使开关模块动作，开关模块的动作使测试回路在测试脉冲预处理电路与阈值电压检测电路间进行切换。本发明专利技术考虑了恢复效应，在测试脉冲前施加预处理脉冲，使得测量的阈值电压更准确，实现了测试脉冲预处理电路及阈值电压测试回路间的快速切换，由控制器控制脉冲宽度和上电间隔时间，精度可控，满足测试要求。满足测试要求。满足测试要求。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法


[0001]本专利技术涉及SiC Mosfet阈值电压监测
，尤其涉及一种SiC Mosfet栅偏实验中的阈值电压监测系统及方法。

技术介绍

[0002]在正常使用器件时，由于半导体
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氧化层界面处缺陷的产生和/或充放电，SiC MOSFET的阈值电压可能略有漂移。由于这种漂移通常是向更大的电压值偏移，因此会导致器件的导通电阻变大。这又导致损耗增加，以及散热需求增大，从而可能缩短器件的使用寿命。
[0003]阈值电压(VT)是评价在栅偏应力下器件特性变化的一个关键参数。没有精确测量阈值电压，就不可能监测施加在器件上的动态应力如何改变器件特性。
[0004]Mosfet阈值电压测试典型电路如图1所示。测试原理：DS短接，SMU1输入规定电流IDS，测试该电流下的Vge，即为阈值电压VT。
[0005]在中国专利申请文献CN101825680B中，公开了一种阈值电压测量方法及系统，通过获得半导体器件的亚阈值斜率，对器件施加应力，在阈值测量时间点，测量器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC Mosfet阈值电压监测系统，其特征在于，包括：控制器、开关模块、驱动模块、测试回路、阈值电压采集模块和供电模块；所述供电模块为所述控制器、所述开关模块和所述驱动模块供电；所述控制器与所述驱动模块和所述开关模块分别连接；所述驱动模块与所述开关模块连接；所述开关模块与所述测试回路连接；所述测试回路与所述阈值电压采集模块连接；所述控制器控制所述驱动模块，通过所述驱动模块使所述开关模块动作，所述开关模块的动作使所述测试回路在测试脉冲预处理电路与阈值电压检测电路间进行切换，所述开关模块的动作在百微秒以内完成；所述开关模块包括多个继电器，分别控制第一开关K1、第二开关K2、第三开关K3和第四开关K4，第一开关K1、第二开关K2、第三开关K3和第四开关K4均为所述开关模块中继电器的开关；当所述测试回路为阈值电压检测电路时，所述阈值电压采集模块采集所述测试回路的阈值电压；所述测试脉冲预处理电路在测试脉冲前施加预处理脉冲，并在预处理脉冲与测试脉冲间设置间隔时间；所述测试回路包括被测SiC Mosfet及外围电路，当所述第一开关K1和所述第二开关K2闭合且所述第三开关K3和所述第四开关K4断开时，所述测试回路为所述测试脉冲预处理电路；当所述第一开关K1和所述第二开关K2断开且所述第三开关K3和所述第四开关K4闭合时，所述测试回路为所述阈值电压检测电路。2.根据权利要求1所述的SiC Mosfet阈值电压监测系统，其特征在于，所述预处理脉冲的宽度t_con为1
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100ms。3.根据权利要求1所述的SiC Mosfet阈值电压监测系统，其特征在于，所述预处理脉冲与所述测试脉冲间设置的所述间隔时间t_float<10ms。4.根据权利要求1所述的SiC Mosfet阈值电压监测系统，其特征在于，所述测试脉冲的宽度t_VT<10ms。5.根据权利要求1所述的SiC Mosfet阈值电压监测系统，其特征在于，所述开关模块包括多个簧式继电器或多个高频继电器。6.根据权利要求5所述的SiC Mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：江雪晨，明志茂，陆裕东，毛景雄，李汝冠，岳龙，杨晓玲，
申请(专利权)人：广电计量检测深圳有限公司广州广电计量检测上海有限公司，
类型：发明
国别省市：