一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法技术

本发明专利技术公开一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片的老化测试方法，包括：将待测试的发光二极管芯片的N面电极固定在金属支座上；将发光二极管芯片的P面电极与连接导线连接，然后将发光二极管芯片封闭在封罩的内腔中。将支座负极、支座正极接通电源，且测试电流为发光二极管芯片的额定电流，记录得到的电压、亮度、波长参数，记为初始参数；然后将增大电流至测试电流进行加速老化；完成后再次调节至额定电流进行测试，并记录得到的电压、亮度、波长参数，记为老化测试后参数。对比所述初始参数、老化测试后参数的变化，判断发光二极管芯片是否符合要求。本发明专利技术的老化测试方法能够在芯片厂再现对封装后发光二极管芯片进行简便高效的老化测试。老化测试。老化测试。

【技术实现步骤摘要】
一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片老化测试
，具体涉及一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法。

技术介绍

[0002]本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。
[0004]上世纪50年代，在IBM T本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供如下的测试装置，其包括：金属支座、支座负极、支座正极、连接导线和封罩；其中：所述支座负极固定在金属支座的外壁上；所述支座正极位于金属支座外部，所述连接导线的第一端与支座正极连接，连接导线的第二端穿过封罩后延伸至其内腔中；(2)将待测试的发光二极管芯片的N面电极固定在所述金属支座的上表面上；将所述发光二极管芯片的P面电极与连接导线的第二端连接，然后将所述封罩罩在金属支座的上表面上，将所述发光二极管芯片封闭在封罩的内腔中；(3)将所述支座负极、支座正极接通电源，且测试电流为发光二极管芯片的额定电流，记录得到的电压、亮度、波长参数，记为初始参数；然后将增大电流至测试电流，并使所述发光二极管芯片持续点亮一段时间进行加速老化；完成后再次调节至所述额定电流进行测试，并记录得到的电压、亮度、波长参数，记为老化测试后参数；(4)对比所述初始参数、老化测试后参数的变化，判断所述发光二极管芯片是否符合要求。2.根据权利要求1所述的适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述金属支座固定在支架上；可选地，所述金属支座的厚度在500～700μm之间。3.根据权利要求1所述的适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述封罩的材质为环氧树脂。4.根据权利要求1所述的适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓明，智友臻，王彦丽，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：