一种适用于半导体分立器件芯片测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种适用于半导体分立器件芯片测试装置，属于半导体分立器件芯片测试技术领域。包括台盘，台盘设于底座上方，所述台盘侧面开设真空进气孔，所述台盘表面开设若干均匀分布的真空出气孔，所述真空进气孔、真空出气孔与台盘内腔相贯通；所述台盘通过多个环向布置的支架固定于底座上。所述台盘侧面开设多个环向布置的侧向螺丝孔。所述支架为L型结构件，所述支架侧面开设台盘连接孔，所述台盘连接孔与侧向螺丝孔相对应，所述支架底部开设底座连接孔。本申请侧向螺丝孔开设于台盘侧面，台盘表面的真空出气孔分布均匀，使得台盘与芯片背面保持良好的接触，保证了大电流参数测试稳定、准确可靠。准确可靠。准确可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于半导体分立器件芯片测试装置


[0001]本技术涉及一种适用于半导体分立器件芯片测试装置，属于半导体分立器件芯片测试


技术介绍

[0002]随着市场对分立器件参数要求越来越严格，同时为了降低芯片的封装成本，很多大电流参数都必须转为芯片级测试。以DMOS器件VFSD为例，测试电流一般都要达到安培(A)级别，测试端的接触电阻对测试结果影响很大。其中芯片背面与台盘接触尤为关键，稍有接触不良，测试误差随测试电流上升呈现指数倍的增加。
[0003]目前，通过增加测试台盘的真空槽环数，进而加大真空吸力，但真空槽环数增加后，真空槽边缘非常容易划伤芯片背面金属，同时真空槽环数增加后，会出现两种分化：台盘与芯片接触的位置VFSD变好，真空槽与芯片未接触的位置VFSD偏大且不稳定，无法有效解决芯片大电流参数稳定测试问题。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种适用于半导体分立器件芯片测试装置，结构简单，保证分立器件芯片大电流参数稳定、准确可靠。
[0005]本技术解决上述问题所采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于半导体分立器件芯片测试装置，其特征在于：包括台盘，台盘设于底座上方，所述台盘侧面开设真空进气孔，所述台盘表面开设若干均匀分布的真空出气孔，所述真空进气孔、真空出气孔与台盘内腔相贯通；所述台盘通过多个环向布置的支架固定于底座上。2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体分立器件芯片测试装置，其特征在于：所述台盘侧面开...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙晓彬，徐林，顾军魏，常俊，乐海波，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：