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本发明公开一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片的老化测试方法，包括：将待测试的发光二极管芯片的N面电极固定在金属支座上；将发光二极管芯片的P面电极与连接导线连接，然后将发光二极管芯片封闭在封罩的内腔中。将支座负极、支座正极接通电源，且测试电流...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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